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教育部委托研究计画 计画执行:国立台湾大学图书馆
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| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:42:47Z |
以二氧化鋯作為閘極介電層之鍺金屬-氧化層-半導體電容器與N型金屬-氧化層-半導體電晶體之閘極工程研究
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詹詠翔; 崔秉鉞; Chan, Yung-Hsiang; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:42:25Z |
熱製程對鍺金屬絕緣層半導體元件上閘極介電質品質影響之研究
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危爾捷; 崔秉鉞; 吳品鈞; Wei, Erh-Jye; Tsui, Bing-Yue; Wu, Pin-Jiun |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:35Z |
以氧化鋁鈦和氮氧化鋁鈦作為電荷捕捉層於非揮發性記憶體之應用
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許書寧; 崔秉鉞; Hsu, Shu-Ning |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:09Z |
4H型碳化矽溝槽式閘極金氧半場效功率電晶體之關鍵製程研究
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曾元宏; 崔秉鉞; Tseng, Yuan-Hung; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
鰭狀磊晶穿隧層穿隧電晶體之性能評估及n型磊晶穿隧層穿隧電晶體性能改善之研究
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林柏劭; 崔秉鉞; Lin, Po-Shao; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
氮化矽逆向梯形波導耦合器之設計、製作與量測
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林劭恩; 崔秉鉞; 陳瓊華; Lin, Shao-En; Tsui, Bing-Yue; Chen, Chyong-Hua |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
晶粒結構對於平面與垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體寫入速度的影響
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常瑋軒; 崔秉鉞; Chang, Wei-Hsuan; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:48Z |
以離子植入選擇性增加碳化矽氧化速率暨溝槽式接面位障蕭基二極體之研究
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林忠佑; 崔秉鉞; Lin, Chung-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:25Z |
磊晶穿隧層穿隧電晶體之研究
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王培宇; 崔秉鉞; Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2016-12-20T03:57:02Z |
以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗 (I)
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崔秉鉞 |
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