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机构 日期 题名 作者
國立暨南國際大學 2011 Sub-10-nm Tunnel Field-Effect Transistor With Graded Si/Ge Heterojunction 施君興?; Shih, CH
國立暨南國際大學 2011 Design Considerations of Nanoscale Schottky Barrier Flash Memory with Source-Side Injection Programming? 施君興; Shih, CH
國立暨南國際大學 2011 施君興助理教授申請升等副教授研究審查資料 施君興
國立暨南國際大學 2010 Nonvolatile Schottky Barrier Multibit Cell With Source-Side Injected Programming and Reverse Drain-Side Hole Erasing? 施君興; Shih, CH
元智大學 2009-03 Threshold voltage of ultrathin gate-insulator MOSFETs 施君興; 王仲盛
元智大學 2009-02 Source-side injection Schottky barrier Flash memory cells 施君興; 葉昇平; 梁紀庭; 羅彥翔
元智大學 2008-05 SONOS Flash memory cells with adjustable trapped charges 施君興; Wei Chang; Hsiang-Chen Lee; Ching-Chang Lin; Wen-Fa Wu; Chenhsin Lien
元智大學 2007-11 Mobility modeling and its extraction technique for manufacturing strained-Si MOSFETs 施君興; Jhong-Sheng Wang; William Po-Nien Chen; Chenhsin Lien; Pin Su; Yi-Ming Sheu; Donald Yuan-Shun Chao; Ken-Ichi Goto
元智大學 2006-11 Impact of process variables on channel stress and carrier mobility for strained-Si CMOS 施君興; Chung-Shen Cheng; Ching-Chang Lin; Chenhsin Lien
元智大學 2006-05 Dependences of short-channel effect on doping profiles for nanoscale metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 施君興; 連振炘
元智大學 2005-05 An analytical threshold voltage roll-off equation for MOSFET by using effective-doping model 施君興; Yi-Min Chen; Chenhsin Lien
元智大學 2004-12 An analytical model of short-channel effect for metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with insulated shallow extension 施君興; Yi-Min Chen; Chenhsin Lien
元智大學 2004-12 Analytical Short-Channel Effect Model for Nanoscale MOSFETs with Ultra-Shallow Junction and Retrograde Channel 施君興; Chenhsin Lien

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