| 國立交通大學 |
2019-04-01 |
電極用複合組成物及其製造方法
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郭冠利; 陳政佑; 黃裕清; 曹正熙; 蔡弘毅; 楊智傑; 曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:42:50Z |
鎳鈷硫化物/氧化石墨烯複合電極材料於超級電容器之應用
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蔡弘毅; 曾俊元; Tsai Hung-Yi; TsengTseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:31Z |
高導電度膠態電解液於固態超級電容之應用
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林皓陽; 曾俊元; Lin, Hao-Yang; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:30Z |
金屬氧化物選擇器搭配氧化鋯電阻式記憶體之特性研究
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李承鴻; 曾俊元; Lee, Cheng-Hung; Tseng,Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:30Z |
氧化層雙向選擇器於電阻式記憶體之應用
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楊敦智; 曾俊元; Yang, Tun-Chih; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:40:30Z |
單層氧化鎂選擇器應用於電阻式記憶體之研究
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鄔晏澤; 曾俊元; Wu, Yan-ze; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:57Z |
氧化鋯電阻式記憶體元件之熱相關研究
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蔡宗霖; 曾俊元; Tsai, Tsung-Ling |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:30Z |
納米電阻式記憶體導體特點的分析方法
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白達磊; 曾俊元; berco, dan; Tseng,Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:07Z |
二氧化鈰及氧化鋅組成雙層穿透性電阻式記憶體之研究
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尚恩; Tseng, TY; Sounak, Kumar Ray; 曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:03Z |
藉由電極調整及摻雜提升氧化鋅透明性電阻式記憶體電阻轉態特性
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費玉滿; 曾俊元; 韋光華; FIRMAN, MANGASA SIMANJUNTAK; Tseng, Tseung-Yuen; Wei, Kung-Hwa |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:07Z |
前瞻式金氧半場效電晶體之隨機電報訊號分析與熱載子劣化研究
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陳慶恩; 曾俊元; 張鼎張; Chen, Ching-En; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:01Z |
利用碲為源層及增強阻障特性於氮化矽金屬導電橋接電阻式記憶體之可靠度優化研究
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戴光駿; 曾俊元; Dai, Guang-Jyun; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:01Z |
二氧化鉿金屬橋樑電阻式記憶體之可靠度研究
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黃楚傑; 曾俊元; Huang, Chu-Jie; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:01Z |
以電泳法沉積奈米碳管的電阻式記憶體之轉態特性研究
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林千詠; 曾俊元; Lin, Chien-Yung; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:37:01Z |
三維多孔石墨烯/鎳鈷氧化物複合電極材料於 超級電容器之應用
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李佳鴻; 曾俊元; Lee, Chia-Hong; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2017-11-01 |
複合電極材料及其製造方法
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楊智傑; 曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2016-12-20T03:57:06Z |
高溫超導電子元件的物理與技術---子計畫二：高溫超導陶瓷薄膜在電子元件的物理與技術
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曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2016-12-20T03:57:06Z |
PLZT光電陶瓷薄膜製作、微結構、特性和應用研究
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曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2016-12-20T03:56:47Z |
非揮發性金屬橋梁式電阻式記憶體之研發
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曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2016-03-29T00:01:12Z |
Li2MnSiO4與奈米碳管及石墨烯複合材料於非對稱性超級電容之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2016-03-29T00:01:09Z |
前瞻高能量超高電容器整合製程及其應用平台開發(III)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:41Z |
前瞻高能量超高電容器整合製程及其應用平台開發( II )
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:36Z |
錳氧化物奈米複合材料與新穎三維碳奈米結構修飾電極製備及其應用於可撓式非對稱型超高電容器系統之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:36Z |
新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:17Z |
Li2MnSiO4與奈米碳管及石墨烯複合材料於非對稱性超級電容之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2015-12-04T07:03:23Z |
電阻式隨存記憶體之製作方法
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曾俊元; 王聖裕; 蔡承翰 |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:05:50Z |
一維氧化鋅奈米結構之製備及其應用
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姚奕全; Yao, I-Chuan; 曾俊元; 林鵬; Tseng, Tseung-Yuen; Lin, Pang |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:07Z |
氧化鋅摻雜鈷應用於透明電阻式記憶體之電阻開關特性研究
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Om Kumar Prasad; Om Prasad; 曾俊元; Tseng , Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:56:41Z |
奈米碳管/氮摻雜石墨烯複合電極材料於超級電容器之應用
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蔡孟翰; Tsai, Meng-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:56:41Z |
氧化鋯金屬橋接電阻式記憶體轉態特性優化之研究
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江法伸; Jiang, Fa-Shen; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:56:41Z |
高介電材料於導電橋式及透明電阻記憶體之轉態特性研究
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張翔喻; Chang, Hsiang-Yu; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:56:41Z |
氮化矽薄膜應用於銅導電橋隨機存取記憶體之特性研究
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藍順醴; Lan, Shun-Li; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:08Z |
鎵摻雜氧化鋅奈米柱金屬橋接電阻式記憶體轉態特性之研究
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辛沛柔; Singh,Pragya; 曾俊元; Tseng, Seung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:17:27Z |
一種鐵電層電極結構及製造方法
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曾俊元; 李顯億 |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:17:25Z |
一種鈣鈦礦薄膜電容結構及其製造方法
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林鵬; 曾俊元; 帝人杜邦菲林日本股份有限公司 |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:16:57Z |
閘極控制場發射三極元件及該元件之製作方法
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曾俊元; 李佳穎; 李思毅; 林鵬 |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:46Z |
一種鈣鈦礦薄膜電容結構及其製造方法
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林鵬; 曾俊元; 帝人杜邦菲林日本股份有限公司 |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:07Z |
閘極控制場發射三極元件及該元件之製作方法
|
曾俊元; 李佳穎; 李思毅; 林鵬 |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:12:18Z |
電阻式隨存記憶體之製作方法
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曾俊元; 王聖裕; 蔡承翰 |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:51:13Z |
低成本高性能高可靠度先進氧化鋅奈米線場發射元件之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:50:46Z |
新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:23Z |
新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:47:21Z |
低成本高性能高可靠度先進氧化鋅奈米線場發射元件之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:47:04Z |
前瞻高能量超高電容器整合製程及其應用平台開發( I )
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:46:02Z |
新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:45:33Z |
低成本高性能高可靠度先進氧化鋅奈米線場發射元件之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:45:05Z |
非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:31Z |
12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫三：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:12Z |
奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:43:24Z |
新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用
|
曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
