| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:28Z |
SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(III)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:16Z |
微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:04Z |
SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(IV)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:37Z |
12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫Ⅲ：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:27Z |
新世代鐵電非揮發性記憶元件(I)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:53Z |
12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫III:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(III)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:53Z |
新世代鐵電非揮發性記憶元件(II)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:24Z |
金屬膜表面特性對電極材料附著力的影響研究
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:02Z |
新世代鐵電非揮發性記憶元件(III)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:00Z |
正型氧化鋅奈米棒和薄膜/積層膜的製備和它們性質的探討
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:35Z |
金屬膜表面特性對電極材料附著力的影響研究(II)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:28Z |
金屬膜表面特性對電極材料附著力的影響研究
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:13Z |
高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(I)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:12Z |
高效能軟性之全固態薄膜型電致變色元件系統開發 (I)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:01Z |
12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫IV：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(I)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:57Z |
一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(I)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:08Z |
一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(II)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:24Z |
奈米複合電磁波吸波材之研製
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:06Z |
高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(II)
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曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:39Z |
一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(III)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:20Z |
高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(III)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:13Z |
新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:03:12Z |
奈米點應用於先進非揮發性記憶體之製作與特性研究
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林昭正; Lin, Chao-Cheng; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:57Z |
薄膜電晶體主動式矩陣面板之陣列技術研究
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陳紀文; Chi-Wen Chen; 曾俊元; 張鼎張; Tseung-Yuen Tseng; Ting-Chang Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:40Z |
一維氧化鋅/二氧化鈦核殼結構奈米線之光學與場發射特性研究
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陳冠仲; Guan-Zhong Chen; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:38Z |
利用酸式蝕刻氧化鋅奈米線製備氧化鋅奈米管
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姚承佑; 曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:34Z |
以溶膠法製備之多重結構的鋯酸鍶記憶體元件之電阻轉換特性研究
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黃俊興; Chun-Hsing Huang; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:33Z |
以濺鍍法製備氮摻雜二氧化鈦薄膜物性及光學特性之研究
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余松蒔; Sung-Shih Yu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:32Z |
以濺鍍法製備之鋯酸鍶記憶體元件具有無電壓極性之電阻轉換特性研究
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尤俊勝; Jung-Sheng Yu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:23Z |
利用濺鍍法製備氧化鋁薄膜記憶體元件
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吳鎮宇; Chen-Yu Wu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:23Z |
以濺鍍法製備氧化鋯材料作為雙穩態電阻轉換記憶體之特性研究
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吳重毅; Chung-Yi Wu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:48Z |
AAO輔助生成一維氧化鋅奈米陣列之特性研究
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張家瑋; Chia-Wei Chang; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:48Z |
釩摻雜鋯酸鍶記憶體薄膜之雙穩態電阻轉換特性
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杜丙章; Bing_-Chung Tu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:47Z |
利用水熱法製備氧化鋁摻雜氧化鋅奈米線及其性質的探討
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蔡信賢; Hsin Hsien Tsai; 曾俊元; Tseung Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:40Z |
含鍺摻雜氮化矽薄膜在非揮發性記憶體應用之研究
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柳星舟; Hsin-Chou Liu; 曾俊元; Tseung Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:47:21Z |
低介電常數材料在多層導體連線系統上之製程整合研究
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蔡宗鳴; Tsung-Ming Tsai; 曾俊元; 張鼎張; Tseung-Yuen Tseng; Ting-Chang Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:28Z |
高可靠度特性的過渡金屬氧化物電阻式記憶體製作與特性研究
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黃駿揚; Huang, Chun-Yang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:56Z |
奈米碳管/鈷氧化物複合電極材料於超高電容器之應用研究
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余芸錚; Yu, Yun-Cheng; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:47Z |
具交叉結構二氧化鉿電阻式記憶體之可靠度與非線性特性研究
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黃冠彰; Huang, Kuan-Chang; 曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:33Z |
氧化鋯電阻式記憶體搭配氧化鎢之雙極性與自我限流特性研究
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林榆瑄; Lin, Yu-Hsuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:56Z |
非揮發性氧化鋯電阻式記憶體於鎢電極之結構與特性研究
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陳柏鈞; Chen, Po-Chun; 曾俊元 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:51Z |
氧化鋯電阻式記憶體之單極性電阻切換特性研究及其應用
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何宗翰; Ho, Tsung-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:31Z |
高緻密鎵摻雜氧化鋅奈米柱薄膜應用於全透明高效能電阻式非揮發性記憶體特性
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何彥廷; Ho, Yen-Ting; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:30Z |
水熱法合成氧化鎢奈米束狀結構應用於可撓式基板之電致變色元件研究
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陳智浩; Chen, Chih-Hao; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:28Z |
利用後續沉積退火處理來提升雙層氧化物結構之電阻式記憶體轉態特性
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黃崇祐; Huang, Chung-Yu; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:20Z |
控制氧空缺或氧離子分佈於過渡金屬氧化物薄膜之電阻式記憶體元件的影響
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江政鴻; Jiang, Jheng-Hong; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:43Z |
鈦酸鍶閘極氧化層之深空乏層現象與應用在鐵電記憶體之研究
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陳柏仰; 曾俊元; T. Y. Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:43Z |
有機金屬合成製備之鉭酸鍶鉍薄膜在非揮發性鐵電記憶體之研究
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連秋旺; Lian, Chiu-Wang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:42Z |
氧化鋅奈米線之製備及特性研究
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李佳穎; Chia-Ying Lee; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:24Z |
磷化鋁鎵銦材料成長、製程與缺陷分析
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宋維哲; Wei-Jer Sung; 曾俊元; 黃凱風; Tseung-Yuen Tseng; Kai-Feng Huang |
