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机构	日期	题名	作者
國立暨南國際大學	2005	Implementation of perfect-magnetic-coupling ultralow-loss transformer in RFCMOS technology?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2005	Variable inductance planar spiral inductors and CMOS wideband amplifiers with inductive peaking	林佑昇?; Lin, YS
國立暨南國際大學	2005	A high-linearity micromixer for 5-GHz-band WLAN applications using 0.35-mu m SiGe BiCMOS technology	林佑昇?; Lin, YS
國立暨南國際大學	2005	An analysis of small-signal source-body resistance effect on RF MOSFETs for low-cost system-on-chip (SoC) applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2005	Temperature dependence of the power gain and scattering parameters S-11 and S-22 of an RF nMOSFET with advanced RF-CMOS technology?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2005	An analysis of base bias current effect on SiGeHBTs?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	An InGaP-GaAsHBT low-noise amplifier for 2.4/5.2/5.7-GHz WLAN applications	林佑昇?; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	A 3-mW concurrent 2.4/5.2-GHz dual-band low-noise amplifier for WLAN applications in 0.18-mu m CMOS technology	林佑昇?; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	A GaInP/GaAs HBT micromixer for 2.4/5.2/5.7-Ghz multiband WLAN applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	A monolithic 1.57/5.25-GHz concurrent dual-band low-noise amplifier using InGaP/GaAs HBT technology?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	A SiGe micromixer for 2.4/5.2/5.7GHz multiband WLAN applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	Monolithic InGaP-GaAsHBT receiver front-end with 6 mW DC power consumption for 5 GHz band WLAN applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	High-quality-factor (33) and high-resonant-frequency (35 GHz) spiral inductors fabricated in 0.25-mu M mixed-signal/RF-CMOS technology	林佑昇?; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	Temperature-dependence of the Q-factor and noise figure performances of a spiral inductor with an advanced mixed-signal/RF complementary metal-oxide-semiconductor technology?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	Analysis of RF scattering parameters and noise and power performances of RF-power MOS in 0.15-mu m RF CMOS technology for RF SOC applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	An analysis of size effect on the performances of low-leakage 0.10 mu m complementary metal oxide semiconductor for 5-GHz band low-power RF-ICs and static random access memory applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	An analysis of the anomalous dip in scattering parameter S-11 of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs)?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2004	Analysis, design, and optimization of matched-impedance wide-band amplifiers with multiple feedback loops using 0.18 mu m complementary metal oxide semiconductor technology?	林佑昇?; Lin, YS
國立暨南國際大學	2003	Theoretical analysis of the anomalous dips of scattering parameter S-22 in deep sub-micrometer MOSFETs?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2003	Ga0.51In0.49P/InxGa1-xAs/GaAs doped-channel FETs (DCFETs) and their applications on monolithic microwave integrated circuits (MMICs)	林佑昇?; Lin, YS
國立暨南國際大學	2003	An analysis of the kink phenomenon of scattering parameter S-22 in RF power MOSFETs for system-on-chip (SOC) applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2003	Low-leakage 0.11 mu m CMOS for low-power RF-ICs and SRAMs applications?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2003	An analysis of small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2003	DC and RF characteristics of E-mode Ga0.51In0.49P-In0.15Ga0.85As pseudomorphic HEMTs?	林佑昇; Lin, YS
國立暨南國際大學	2003	An analysis of small-signal substrate resistance effect in deep-submicrometer RF MOSFETs?	林佑昇; Lin, YS

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