臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立高雄師範大學	2015-08	具不同摻雜濃度之超薄絕緣層上矽晶及超薄底絕緣層金氧半場效電晶體閘極絕緣層可靠度之分析與探討	楊宜霖
國立高雄師範大學	2014-08	非平面結構金氧半場效電晶體閘極絕緣層可靠度之分析與探討	楊宜霖
國立高雄師範大學	2013-08	電阻式記憶體之低能耗製程技術開發(II)	楊宜霖
國立高雄師範大學	2012-08	Reliability Improvement of 28nm High-k/Metal Gate-Last MOSFET using Appropriate Oxygen Annealing	Yi-Lin Yang;Wenqi Zhang;Chi-Yun Cheng;Yi-Ping Huang;Pin-Tseng Chen;Chia-Wei Hsu;Li-Kong Chin;Chien-Ting Lin;Che-Hua Hsu;Chien-Ming Lai ;Wen-Kuan Yeh; 楊宜霖
國立高雄師範大學	2012-06	Reliability Improvement of 28nm High-k/Metal Gate Device by Using Oxygen Annealing	Yi-Lin Yang;Wenqi Zhang;Chi-Yun Cheng;Yi-Ping Huang;Pin-Tseng Chen;Li-Kong Chin;Chia-Wei Hsu;Wen-Kuan Yeh; 楊宜霖
國立高雄師範大學	2012	The Improvement of Reliability of High-k/Metal Gate pMOSFET Device with Various PMA Conditions	Yi-Lin Yang;Wenqi Zhang;Chi-Yun Cheng;Wen-Kuan Yeh; 楊宜霖
國立高雄師範大學	2011-11	Reliability Improvement of 28nm Gate Last High-k/Metal Gate Device with Oxygen Annealing	Y.L. Yang;Y.P. Huang;P.T. Chen;W.Q. Zhang;C.Y. Cheng;L.K. Chin;C.W. Hsu;W.K. Yeh; 楊宜霖
國立高雄師範大學	2011-10	A Proposed High Manufacturability Strain Technology for High-k/Metal Gate SiGe-SOI CMOSFET	W.K. Yeh;C.Y. Cheng;Y.L Yang;C.T. Lin;C.M. Lai;Y.W. Chen;C. H. Hsu;C.W. Yang;P.Y. Chen; 楊宜霖
國立高雄師範大學	2011-08	電阻式記憶體之低能耗製程技術開發(I)	楊宜霖
國立高雄師範大學	2011-04	The Improvement of Reliability of 28nm High-k/Metal Gate Device with Various PMA Conditions	Chi-Yun Cheng;Wen-Kuan Yeh;Yi-Lin Yang;Chia-Wei Hsu; 楊宜霖

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