English  |  正體中文  |  简体中文  |  总笔数 :2832440  
造访人次 :  33787358    在线人数 :  1307
教育部委托研究计画      计画执行:国立台湾大学图书馆
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
关于TAIR

浏览

消息

著作权

相关连结

"溫武義"的相关文件

回到依作者浏览
依题名排序 依日期排序

显示项目 31-40 / 40 (共2页)
<< < 1 2 
每页显示[10|25|50]项目

机构 日期 题名 作者
中原大學 2001-11 1.55微米發光波段超微量摻雜稀土元素磷化銦鎵砷液相磊晶層之特性研究 梁宏偉;李振豪;溫武義;何文章;廖森茂
中原大學 2000-12 以LPE成長摻雜稀土元素InAsSbP磊晶層─低雜質化研究 溫武義;廖昆鋒
中原大學 2000-12 利用液相磊晶法及橫向磊晶技術摻雜稀土元素的高品質AlGaAs磊晶層進行高效能太陽能電池的研究(1/2) 廖森茂;溫武義
中原大學 2000-11 Characterization of RE-Treated InGaAsP Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy 李振豪;廖昆鋒;何文章;廖森茂;溫武義;Lee, Zeng-Hao;Liao, Kun-Feng;Ho, Wen-Jeng;Liao, Sen-Mao;Uen, Wu-Yih
中原大學 2000 利用液相磊晶法及橫向磊晶技術摻雜稀土元素的高品質AlGaAs磊晶層進行高效能太陽能電池的研究 廖森茂;溫武義
中原大學 2000 以液相橫向磊晶法(LPELO)研製1-1.6微米PIN檢光元件 溫武義;廖森茂
中原大學 1999-12 利用液相磊晶法及橫向磊晶技術成長摻雜稀土元素(HO,ER,TM)之高品質INGAAS/INP材料(II) 廖森茂;溫武義
中原大學 1999-12 以LPE法成長供研製2至4微米光電元件之四元化合物半導體InAsSbP 溫武義
國立成功大學 1997 凝態薄膜之形態穩定性及熱應力分析(I)-總計畫 翁政義; 溫武義; 黃吉川; 馮榮豐
中原大學 1991 Heteroepitaxy of Gallium Arsenide on Si Substrates 溫武義; UEN, WU-YIH

显示项目 31-40 / 40 (共2页)
<< < 1 2 
每页显示[10|25|50]项目