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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2015-11-26T01:02:27Z	運用介電層熔斷崩潰機制設計新穎的單次寫入唯讀記憶體	黃智宏; Huang, Zhi-Hong; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun
國立交通大學	2015-11-26T00:57:07Z	互補式面穿隧場效電晶體之結構設計與低功耗電路應用探討	趙堉斌; Zhao, Yu-Bin; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun
國立交通大學	2015-11-26T00:56:57Z	淺溝渠隔離氧化層對三維閘極電晶體的可靠性影響	吳嘉偉; Wu, Chia-Wei; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun
國立交通大學	2014-12-16T06:13:50Z	使用無源極和汲極接面場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法	莊紹勳; 謝易叡
國立交通大學	2014-12-16T06:12:08Z	使用無源極和汲極接面場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法	莊紹勳; 謝易叡
國立交通大學	2014-12-13T10:51:52Z	張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(III)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:51:36Z	高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:51:21Z	混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:49:40Z	下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:49:26Z	利用氘化及氮化處理製備高可靠性薄閘氧化層深次微米NMOS元件	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:49:24Z	用於快閃式記憶元件及電路性能與可靠性模擬的元件模式	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:48:12Z	混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:48:01Z	高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計-元件至電路的考量 (II)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:46:04Z	奈米CMOS元件不均勻、雜和氧化層缺陷導致臨限電壓變異之研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:45:16Z	下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:43:18Z	先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:42:09Z	下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:41:33Z	先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:40:23Z	次微米MOS元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:39Z	EPROM記憶元件中熱電子效應的可靠性研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:34Z	先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:32Z	高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:22Z	次微米MOS元件中反向短通道效應特性分析與模式	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:09Z	具有反向短通道效應N型MOS元件性能及可靠性的研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:03Z	快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析	莊紹勳; Chung Steve S

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