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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:37:02Z P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:37:00Z 薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:36:37Z 先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:36:04Z 利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:35:13Z 不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:34:54Z 超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:34:26Z 先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:34:13Z 先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:33:04Z 高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:43Z 採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S

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