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Institution Date Title Author
國立成功大學 2003 電子材料工程教育與研究(3/3) 林光隆; 陳貞夙; 蘇炎坤; 張守進
國立成功大學 2003 氮化物半導體系列白光發光二極體照明科技整合計劃-子計畫一:非螢光粉方式氮化鎵白光發光二極體之研製(1/3) 蘇炎坤
國立成功大學 2003 高速與高熱穩定氮化鎵金氧半場效電晶體 李清庭; 蘇炎坤
國立成功大學 2003 總計畫:氮化鎵系列雷射與白光光源及高頻元件之研製(3/3) 張守進; 蘇炎坤; 黃啟祥
國立成功大學 2003 子計畫二:氮化鎵系列短波長雷射二極體及面射型雷射之研製(3/3) 蘇炎坤
國立高雄師範大學 2002-05 產學合作計劃---砷化鎵系之銅製程及HBT大信號模型之研究(II) 王瑞祿;蘇炎坤; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學 2002 Current gain improvement of the AlGaAs/GaAs Hetero-junction Bipolar Transistor by Ammonium sulfide treatment Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;陳文章;王永昇
國立成功大學 2002 電子材料工程教育與研究(2/3) 林光隆; 陳貞夙; 蘇炎坤; 張守進
國立成功大學 2002 氮化銦鎵自組統量子的磊晶成長與光電元件(I) 蔡宗祐; 蘇炎坤
國立成功大學 2002 光電領域策略規劃 蘇炎坤
國立成功大學 2002 光電半導體技術手冊 蘇炎坤; 紀國鐘
國立高雄師範大學 2001-11 Current gain improvement of the AlGaAs/GaAs Hetero-junction Bipolar Transistors Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;王瑞祿;陳文章;王永昇
國立高雄師範大學 2001-11 由電壓對電流現象決定磷化銦鎵/砷化鎵HBT之射極平臺蝕刻終點 Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;王瑞祿;陳文章;王永昇
國立成功大學 2001-08-09 氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構及其製造方法 蘇炎坤; 陳進祥; 張守進; 許進恭
國立成功大學 2001-08-09 氮化鎵金氧半場效電晶體之製造方法 王永和; 洪茂峰 ; 蘇炎坤 ; 張守進 ; 吳厚潤 ; 吳昭誼
南台科技大學 2001 氮化時間與氫氣流量對MOCVD成長氮化鎵磊晶膜品質的影響 王永昇; 張智傑; 謝煜弘; 管鴻; 蘇炎坤; 楊昌義; 林俊良; 莊賦祥; 陳力民
南台科技大學 2001 未摻雜GaN緩衝層對MOCVD成長之n-GaN磊晶膜品質的影響 張智傑; 蘇炎坤; 楊昌義; 莊賦祥; 王永昇; 林俊良; 許進明; 管鴻
南台科技大學 2001 氫氣流量對MOCVD成長之GaN磊晶膜品質的影響 王永昇; 張智傑; 謝煜弘; 管鴻; 蘇炎坤; 楊昌義; 林俊良; 莊賦祥; 陳力民
國立高雄師範大學 2000-08 砷化鎵系之HEMT/HBT微波元件與電路製程之研究---總計畫(III) 蘇炎坤;王瑞祿;王永和; Ruey-Lue Wang
南台科技大學 2000-04 The study of GaInP/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors 管鴻; H. Kuan; 管鴻; C.W. Kuo; 郭啟文; Y.K. Su; 蘇炎坤;S.C. Hsu; 許世昌
國立成功大學 2000 高頻高速元件之研究(II) 蘇炎坤
國立成功大學 2000 總計畫:氮化鎵光電及微波元件之研製 張守進; 王永和; 蘇炎坤
國立成功大學 2000 總計劃:砷化鎵系HEMT-HBT微波元件與電路製程研究 蘇炎坤; 王瑞祿; 王永和
國立成功大學 2000 Optoelectronic Materials and Devices 蘇炎坤; P. B. Bhattarya
國立中山大學 2000 GaN光電及微波元件之研製---總計畫(I) 張守進;王永和;蘇炎坤

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