臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立成功大學	2004-03-03	電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體	許渭州; 李景松
國立成功大學	2004	高性能磷化銦系列光電元件之研製(2/3)	許渭州
國立成功大學	2004	以MOCVD 成長InGaAsN 光電材料及元件(2/2)	許渭州
國立成功大學	2003-04-25	電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體	許渭州; 李景松
國立成功大學	2003	以矽為基板之氮化鎵材料及元件之研究	許渭州
國立成功大學	2002	在不同基底上成長GaN 系列材料及元件技術之建立	許渭州
國立成功大學	2001	高性能砷化鋁鎵/砷化鎵異質結構雙極性電晶體之研製	許渭州
國立成功大學	2001	赴日參加中日微電子國際專題研討會	許渭州
國立成功大學	2000	氮化鎵系列材料微波元件與光檢測器之研製(1/2)	許渭州
國立成功大學	2000	以磷化銦鋁鎵為蕭基層之砷化鎵異質結構場效電晶體	許渭州
國立成功大學	1999	異質結構場效電晶體之放大特性改良	許渭州
國立成功大學	1999	高效率共振穿透式實空間傳輸電晶體之研製	許渭州
國立成功大學	1997	利用矽鍺分子束磊晶系統進行動態負電阻為元件與場效電晶體積體化高速邏輯電路之研製－高性能磷化銦實空間傳導二極體與電晶體	許渭州
國立成功大學	1996	具有強烈負微分電阻現象的多功能場效電晶體	許渭州
國立成功大學	1995	高性能In(0.53)Al(0.22)Ga(0.25)As/Inp異質結構雙極性電晶體之研製	許渭州
國立成功大學	1994	以HMOCVD法成長高性能之單層及多層δ-摻雜InGaAs/GaAs 量子井HEMT結構	許渭州
國立成功大學	1993	以低壓 MOCVD 法成長砷以銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦高電子移動率電晶體	許渭州
國立成功大學	1993	以有機金屬氣相沈積法成長高效率δ摻雜之漸變砷化銦鎵 / 砷化鎵高電子移動率電晶體及其理論模擬	許渭州

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