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| 東方設計學院 |
2008-11 |
Ferroelectric and Dielectric Properties of Bi4-xLaxT3V3-yO3 Ceramics
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Chen,K.H.; Chang, H.M.; Liu, Y.H.; Su, H.H.; Yang, C.F.; 陳開煌; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-11 |
The Dielectric Characteristics of Lead-Free Piezoelectric Ceramic K0.5Na0.5NbO3
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Cheng, C.M.; Chen, K.H.; Jong, F.C.; Yang, C.F.; Cheng, W.H; Kung, M.C.; 陳開煌; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-11 |
探討Bi3.99(Ti2.9V0.1)O12薄膜於非揮發性鐵電記憶體元件之應用
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陳開煌; 沈冠宏; 楊正富; 陳英忠; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-11 |
氧氣濃度對於Ba(Zr0.1Ti0.9)O3鐵電薄膜之特性分析
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陳開煌; 鄒文正; 張修銘; 蘇修賢; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-08 |
Electrical Characteristics of Bi1Ti3O12 Ferroelectric Thin Films Annealed under Different Temperature for Applications in Nonvolatile Memory Devices
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; Diao, Chien-Chen; Yang, Cheng-Fu; Wang, Bing-Xun; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-08 |
THE INFLUENCE OF ANNEALING PROCESS ON PHYSICAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF (Ba0.8Sr0.2)(Ti0.9Zr0.1)O3 THIN FILMS
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; Yang, Cheng-Fu; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-08 |
Switching Properties of Ba(Zr0.1Ti0.9)O3 Ferroelectric Films Under Various Retention Cycles for Application in Nonvolatile Memory Devices
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; Tzou, Wen-Cheng; Yang, Cheng-Fu; Cheng, Chieh-Jen; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-08 |
Memory Properties of SrBi2Ta2O9 Ferroelectric Thin Film Prepared on SiO2/Si Substrate
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Tzou, Wen-Cheng; 陳開煌; Chen, Kai-Huang; Yang, Cheng-Fu; Tsai, Taung-Luen; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-08 |
The Influences of Exccess Bi2O3 Content on the Characteristics of 0.8 (Bi0.5K0.5)TiO3-0.2 BaTiO3 Ceramics
|
Chung, Ho-Hua; Yang, Cheng-Fu; 陳開煌; Chen, Kai-Huang; Diao, Chien-Chen; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-06 |
The characteristics of bi3.99Ti2.9V0.1O12 thin films and its application in nonvolatile random memory devices
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; Chen, K.H.; 楊證富; Yang, Cheng-Fu; Yand, C.F. (東方技術學院電子與資訊系) |
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