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| 東方設計學院 |
2008-06 |
鋯鈦酸鋇非揮發性鐵電記憶元件製備及其特性分析
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; 楊證富Yang, Cheng-Fu; 陳英忠; Chen, Ying-Chung; 吳冠宏; Wu, Guan-Hung; 沈冠宏 Shen, Guan-Hung; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008-04 |
The influence of different fabrication processes on characteristics of excess Bi2O3-doped 0.95 (Na0.5Bi0.5)TiO3–0.05 BaTiO3 ceramics
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Wei, Yin-Fang; Chung, Ho-Hua; Yang, Cheng-Fu; Chen, Kai-Huang; 陳開煌; Diao, Chien-Chen; Kao, Chia-Hsiung; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 南台科技大學 |
2008 |
X[K0.5Bi0.5TiO3]+(1-X)[BaTiO3]，(X = 0.35、0.50、0.65、0.80)之介電特性研究
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林應勳; 鄭平守; 楊證富; 鄭建民; 陳開煌 |
| 東方設計學院 |
2008 |
薄膜電晶體結構元件及在光電元件之應用與製造---極低溫與照光於透明式鐵電電容器電滯曲線與物理機制之研究
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陳開煌; (行政院國家科學委員會); (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2008 |
利用兩階段雷射退火製程改善Bi4-xLaxTi3-yVyO12(BLTV)鐵電薄膜特性於非揮發性鐵電記憶體元件之應用
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陳開煌; (行政院國家科學委員會); (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2007-12-20 |
Fabricate Non-Volatile Ferroelectric Random Access Memory Devices using BTV as Gate Oxide
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Chen, Kai-Huang; 陳開煌; Yang, Cheng-Fu; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2007-11 |
探討Bi4(Ti2.97V0.03)O12/Ba(Zr0.1Ti0.9)O3雙層結構特性於非揮發性鐵電記憶體元件之應用
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; 楊證富Yang, Cheng-Fu; 吳冠宏; Wu, Guan-Hung; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2007-11 |
鐵電材料Ba(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷介電特性開發
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; 楊證富Yang, Cheng-Fu; 吳冠宏; Wu, Guan-Hung; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 東方設計學院 |
2007-09-13 |
Physical and Electrical Characteristics of Vanadium Doped Bi4Ti3O12 Thin Films for Applications in Nonvolatile Memory Devices
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陳開煌; Chen, Kai-Huang; Yang, Cheng-Fu; Chen, Lu-Ni; (東方技術學院電子與資訊系) |
| 國立中山大學 |
2007-08-06 |
鋯鈦酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究
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陳開煌 |
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