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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-12T03:02:04Z 低溫複晶矽薄膜電晶體之氟鈍化製程與可靠度的研究 王獻德; Shen-De Wang; 雷添福; Tan-Fu Lei
國立交通大學 2014-12-12T03:01:57Z 新穎高介電常數材料與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究 林育賢; Yu-Hsien Lin; 雷添福; 簡昭欣; Tan-Fu Lei; Chao-Hsin Chien
國立交通大學 2014-12-12T03:01:53Z 新穎快閃記憶體結構使用HfO2為電荷捕陷層於SiGe與Si通道之研究 洪錦石; Jin-Shi Hong; 雷添福; Tan-Fu Lei
國立交通大學 2014-12-12T03:01:49Z 複晶矽薄膜電晶體製程效應與偏壓溫度不穩定性之研究 王統億; Tong-Yi Wang; 雷添福; Tan-Fu Lei
國立交通大學 2014-12-12T03:00:53Z NROM資料保存能力之研究 賴旭暉; Hsu-Hui Lai; 雷添福; Tan-Fu Lei
國立交通大學 2014-12-12T02:51:42Z 低溫複晶矽薄膜電晶體之負偏壓溫度不穩定研究 李伯浩; 雷添福
國立交通大學 2014-12-12T02:51:38Z 低溫複晶矽薄膜電晶體之遷移率與可靠度之研究 徐源竣; Yuan-Jiun Hsu; 雷添福; Tan-Fu Lei
國立交通大學 2014-12-12T02:51:30Z 利用溶膠法沉積高介電常數材料捕陷電荷層之SONOS型記憶體元件 徐梓翔; Tzu-Hsiang Hsu; 雷添福; Tan-Fu Lei
國立交通大學 2014-12-12T02:51:25Z 高介電材料及奈米微晶粒捕陷層在快閃記憶體之研究 楊宗元; Tsung-Yuan Yang; 雷添福; Tan-Fu Lei
國立交通大學 2014-12-12T02:50:15Z 邏輯90奈米技術節點淺溝渠隔離機械應力效應 對於設計相關之MOS電性所造成的影響 李泰垣; Tai-Yuan Lee; 雷添福; Tan-Fu Lei

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