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國立交通大學 2014-12-12T02:23:14Z 高介電質材料氧化鑭之研究 王俊彬; J. B. Wang; 荊鳳德; 蔡 中; Albert Chin; C. Tsai
國立交通大學 2014-12-12T02:20:52Z 由矽磊晶到極平整之超薄氧化層製作 林柏村; B. C. Lin; 蔡中; 荊鳳德; 陳文照; C. Tsai; Albert Chin; W. J. Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:15:33Z 高速矽材料之研討--微微秒載子生命週期和SOI 李昆祐; Lee, K; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學 2014-12-12T02:15:30Z LPCVD以SiH4低溫下成長高品質矽磊晶 林柏村; Lin, B.C.; 荊鳳德; Albert.Chin
國立交通大學 2014-12-12T01:52:33Z 高介電常數介電質金氧金電容應用於動態記憶體與射頻元件之研究 鄭淳護; Chun-Hu Cheng; 周長彬; 荊鳳德; Chang-Pin Chou; Albert Chin
國立交通大學 2014-12-12T01:37:57Z 高頻被動元件在矽基板和多層介電質基板之模型與特性 陳家忠; C. C. Chen; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學 2014-12-12T01:32:02Z 矽化鎳及鍺化鎳之金屬閘極在電晶體上的研究 林祺穆; Chi-Mu Lin; 荊鳯德; Albert Chin
國立交通大學 2014-12-12T01:21:11Z 電流重複用之超寬頻金氧半低雜訊放大器應用於3.1-10.6GHZ 李富國; Fu-Kuo Li; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學 2014-12-12T01:13:51Z 高功函數矽化鉺金屬閘極之高溫穩定氮氧化鉿鑭P型金氧半場效電晶體研究 周坤億; Kun-I CHOU; 荊鳳德; Albert Chin
國立交通大學 2014-12-12T01:13:48Z 使用完全矽化閘極-高介電常數介電質之低臨界電壓金氧半電晶體 陳冠霖; Guan Lin Chen; 荊鳳德; Albert Chin

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