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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2022-09 Effects of SiNX passivation on GaN-HEMT DC characteristics Divya;Pandi;Kumar;Ashish;Lee;Hsi, Wen
國立成功大學 2022-05-1 Studies on the electrical characteristics of a high-k dielectric/metal gate MOS capacitor by high-pressure annealing Kumar;Ashish;Divya;Pandi;Lee;Hsi, Wen;Wang;Y, L.
國立成功大學 2021-05 Advanced low damage manufacturing processes to fabricate SOI FinFETs and measurement of electrical properties Kumar;Ashish;Lee;Hsi, Wen;Wang;Y, L.
國立成功大學 2021-05 Optimizing the Isotropic Etching Nature and Etch Profile of Si, Ge and Si0.8Ge0.2 by Controlling CF4 Atmosphere With Ar and O-2 Additives in ICP Kumar;Ashish;Lee;Hsi, Wen;Wang;Y, L.

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