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机构 日期 题名 作者
臺大學術典藏 2021-12-30T03:02:01Z Strain Engineering of Nanoscale Strained Si MOS Devices B.-F. Hsieh; S. T. Chang; W.-C.Wang; M.-H. Liao; C.-C. Lee; J. Huang; MING-HAN LIAO

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