臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
南台科技大學	2006	Planar Ultraviolet Photodetectors Formed by Si Implantation into p-GaN	李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Kao; C. J. Tun; G. C. Chi
南台科技大學	2006	Planar GaN p-i-n photodiodes with n+-conductive channel formed by Si implantation	李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Kao; G. C. Chi
南台科技大學	2005	Comparison of low-temperature GaN, SiO2, and SiNx as gate insulators on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors	李明倫; C. J. Kao; M. C. Chen; C.J. Tun; G. C. Chi; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; F.Ren; S.J.Pearton
南台科技大學	2004	Effect of GaN cap layer grown at a low temperature on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/GaN heterojunction field-effect transistors	李明倫; C. J. Kao; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; M. C. Chen; G. C. Chi
南台科技大學	2004	Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer	李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai
南台科技大學	2003	Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi
南台科技大學	2003	GaN Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors With Low-Temperature-GaN Cap Layers and ITO Metal Contacts	李明倫; S. J. Chang; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. K. Su; C. S. Chang; C. J. Kao; G. C. Chi; J. M. Tsai
南台科技大學	2003	GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi
南台科技大學	2003	Visible–blind GaN p–i–n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure	李明倫; L. S. Yeh; M. L. Lee; J. K. Sheu; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su
南台科技大學	2003	Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer	李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai

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