臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T09:50:25Z	Function of the Upper/Lower Parasitic BJTs in 40nm PD SOI NMOS Device due to the Back-Gate Bias Effect	A. P. Chuang;S. I. Su;Z. H. Yang;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; A. P. Chuang; S. I. Su; Z. H. Yang; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T09:24:48Z	Turn-off Transient Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device Considering the Floating Body Effect	S. W. Fang; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:46:16Z	Modeling the Floating-Body-Effect-Related Transient Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device via the SPICE Bipolar/MOS Model	S. W. Fang; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:46:15Z	Analysis of Turn-off Transient Behavior of the 40nm PD SOI NMOS Device with the Floating Body Effect	C. H. Chen; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Gate tunneling leakage current behavior of 40 nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect	H. J. Hung;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; H. J. Hung; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Modeling the Floating-Body-Effect-Induced Drain Current Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device Via SPICE BJT/MOS Model Approach	J. S. Su;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; J. S. Su; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Modeling the parasitic bipolar device in the 40nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect	C. H. Chen;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; C. H. Chen; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:05Z	Shallow trench isolation-related narrow channel effect on the kink behaviour of 40 nm PD SOI NMOS device	H. J. Hung;J. B. kuo;D. Chen;C. T. Tsai;C. S. Yeh; H. J. Hung; J. B. kuo; D. Chen; C. T. Tsai; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T07:41:37Z	Shallow Trench Isolated-Related Narrow Channel Effect on Kink Effect and Breakdown Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device	J. I. Lu;H. J. Hung;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh;C. T. Tsai; J. I. Lu; H. J. Hung; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; C. T. Tsai; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T07:41:37Z	Floating-body-effect-related gate tunneling leakage current phenomenon of 40nm PD SOI NMOS device	H. J. Hung;J. I. Lu;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; H. J. Hung; J. I. Lu; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO

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