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机构	日期	题名	作者
國立中山大學	1996	Atomic Force Microscopic Study On the Surface Structure of Oxidized Porous Silicion	T.F. Young; I.W. Hunag; Y.L. Yang; W.C. Kuo; I.M. Jiang; T.C. Chang; C.Y. Chang
國立中山大學	1996	Atomic Force Microscope Study on the Surface Structure of Oxidized Porous Silicon	T.F. Young;I.W. Huang;Y.L. Yang;W.C. Kuo;I.M. Jiang;T.C. Chang;C.Y. Chang
國立中山大學	1996	Atomic Force Microscope Study on the Surface Structure of Oxidized Porous Silicon	T.F. Young;I.W. Huang;Y.L. Yang;W.C. Kuo;I.M. Jiang;T.C. Chang;C.Y. Chang
國立中山大學	1996	A new approach to data dependence analysis and its implementation - The interval reduction Test	T.C. Huang;C.M. Yang;C.Y. Chang
國立中山大學	1996	Study on the IR-Photoluminescence in Si/Si1-xGex Quantum wells by FT-IR system	T.F. Young;T.C. Chang;C.Y. Chang
國立中山大學	1995	The Novel Non-linear Dc Reponse of Ag Thin Films Deposited on Porpous Silicion: a Fractal Model Explanation	T.F. Young; W.C. Kuo; I.M. Jiang; T.C. Chang; C.Y. Chang
國立中山大學	1995	The Novel Nonlinear DC Response of Ag Thin Films Deposited on Porous Silicon :A Fractal Model Explanation	T.F. Young;W.C. Kuo;I.M. Jiang;T.C. Chang;C.Y. Chang
國立中山大學	1995	The novel nonlinear dc response of Ag thin films deposited on porous silicon: a fractal model explanation	T.F. Young;W.C. Kuo;I.M. Jiang;T.C. Chang;C.Y. Chang
國立中山大學	1995	The Novel Nonlinear DC Response of Ag Thin Films Deposited on Porous Silicon: A Fractal Model Explanation	T.F. Young;W.C. Kuo;I.M. Jiang;T.C. Chang;C.Y. Chang
國立中山大學	1995	Atomic Force Microscopy Study on the Surface Structure of Oxidized Porous Silicon	T.F. Young;I.W. Huang;Y.L. Yang;W.C. Kuo;I.M. Jiang;T.C. Chang;C.Y. Chang
國立中山大學	1995	Physiological Studies on the Marine Luminous Bacteria	C.Y. Chang;C.S. Lin;J.K. Liu
修平科技大學	1994	Electroluminescence Characteristics and Current-Conduction Mechanism of a-SiC:H P-I-N Thin-Film Light-Emitting Diodes with Barrier Layer Inserted at P-I Interface	T. S. Jen;J. W. Pan;N. F. Shin;J. W. Hong;C. Y. Chang
修平科技大學	1994	Electroluminescence of a-SiC:H p-i-n thin-film light-emitting diodes with quantum-well injection structures	T. S. Jen;N. F. Shin;W. C. Tsay;J. Y. Chen;S. L. Ning;J. W. Hong;C. Y. Chang
修平科技大學	1994	Hydrogenated amorphous silicon carbide p-i-n thin-film light-emiting diodes with barrier layers inserted at p-i interface	T. S. Jen;J. W. Pan;N. F. Shin;W. C. Tsay;J. W. Hong;C. Y. Chang
修平科技大學	1994	Investigation of a new narrow-bandwidth a-Si:H photodector	N. F. Shin;J. W. Hong;Y. F. Wu;T. S. Jen;C. Y. Chang
修平科技大學	1993-04-15	Hydrogenated amorphous silicon-carbide thin-film light-emitting diode with quantum-well-injection structure	T. S. Jen;J. Y. Chen;N. F. Shin;Y. W. Hong;C. Y. Chang
修平科技大學	1993	Hydrogenated amorphous silicon carbide double graded-gap p-i-n thin film light-emitting diodes	N. F. Shin;J. Y. Chen;T. S. Jen;J. W. Hong;C. Y. Chang
修平科技大學	1992	Graded-Gap a-SiC:H p-i-n Thin-Film Light-Emittin Diodes	J. W. Hong;N. F. Shin;T. S. Jen;S. L. Ning;C. Y. Chang
修平科技大學	1992	Visible a-SiC:H p-i-n light emitting diodes with hot-carrier tunneling injection layers	J. W. Hong;T. S. Jen;N. F. Shin;J. D. Lee;C. Y. Chang
國立高雄師範大學	1989	Superlattice gate power MESFET grown by MBE	Ruey-Lue Wang;W. C. Liu;C.Y. Chang;W. C. Hsu;W. S. Lour; 王瑞祿
國立中山大學	1984	Growth Mechanisms of the GaAs LPMOCVD Growth	C.Y. Chang;M.K. Lee;Y.K. Su;Y.C. Chou;L.P. Chen
國立中山大學	1983	Enhancement of Growth Rate due to Tin Doping in GaAs Epilayer Grown by Low Pressure Metalorgarlic Chemical Vapor Deposition	M.K. Lee; C.Y. Chang; Y.K. Su; W.C. Hsu
國立中山大學	1983	Control of Silicon Dioxide Properties by RF Sputtering	M.K. Lee; C.Y. Chang; I.S. Tzeng; Y.K. Su
國立中山大學	1983	Investigation of Sn-doped GaAs Epilayers Grown by Low Pressure Metal-Organic Chemical Vapor Deposition	M.K. Lee; C.Y. Chang; Y.K. Su
國立中山大學	1982-10	Sn-doped GaAs Epilayers Grown by Low Pressure MOCVD	C.Y. Chang;M.K. Lee;Y.K. Su

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