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机构	日期	题名	作者
東海大學	2006	Noise analysis of nitride-based metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors with photo-chemical vapor deposition SiO2 gate oxide in the linear and saturation regions	Chiou, Y.-Z.a , Su, Y.-K.bd, Gong, J.c, Chang, S.-J.bd, Wang, C.-K.b

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