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臺大學術典藏 2018-09-10T05:18:30Z Recombination mechanism of InGaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition Feng, Z.C.; Liu, W.; Chua, S.J.; Chen, J.H.; Yang, C.C.; Lu, W.; Collins, W.E.; CHIH-CHUNG YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T05:18:30Z P-type doping in GaN through Be implantation Feng, Z.C.; Sun, Y.J.; Tan, L.S.; Chua, S.J.; Yu, J.W.; Yang, C.C.; Lu, W.; Collins, W.E.; CHIH-CHUNG YANG
國立臺灣科技大學 2009 Optical properties and material studies of InGaN/GaN multi-quantum well light emitting diode wafers with different structures Kuo T.W.; Lin T.Y.; Feng Z.C.; Liu W.; Chua S.J.; Tsai H.L.; Yang J.R.; Huang Y.S.; Ferguson I.T.; Lu W.
國立臺灣大學 2006 Photoluminescence characteristics of low indium composition InGaN thin films grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition Feng, Z.C.; Liu, W.; Chua, S.J.; Yu, J.W.; Yang, C.C.; Yang, T.R.; Zhao, J.
國立臺灣大學 2006 Control and improvement of crystalline cracking from GaN thin films grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition Yu, J.W.; Lin, H.C.; Feng, Z.C.; Wang, L.S.; Tripathy, S.; Chua, S.J.
國立臺灣大學 2005 Recombination Mechanism of InGaN Multiple Quantum Wells Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Feng, Z. C.; Liu, W.; Chua, S. J.; Chen, J. H.; Yang, C. C.; Lu, W.; Collins, W. E.
國立臺灣大學 2005 P-type doping in GaN through Be implantation Feng, Z. C.; Sun, Y. J.; Tan, L. S.; Chua, S. J.; Yu, J. W.; Yang, C. C.; Lu, W.; Collins, W. E.
國立臺灣大學 1999 Recrystallization of C-Al Ion Co-implanted Epitaxial 6H-SiC Feng, Z. C.; Chua, S. J.; Tone &, K.; Zhao, J. H.

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