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| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與最佳化
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楊勝博; Yang, Shang-Po; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
高介電層金屬閘極CMOS電晶體功函數與臨界電壓變異之關聯性探討
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王元鼎; Wang, Yuan-Ding; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
運用介電層熔斷崩潰機制設計新穎的單次寫入唯讀記憶體
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黃智宏; Huang, Zhi-Hong; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:07Z |
互補式面穿隧場效電晶體之結構設計與低功耗電路應用探討
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趙堉斌; Zhao, Yu-Bin; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:56:57Z |
淺溝渠隔離氧化層對三維閘極電晶體的可靠性影響
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吳嘉偉; Wu, Chia-Wei; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:49Z |
由實驗方法分析三維金氧半電晶體的彈道傳輸特性
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林宗慶; Lin, Tsung-Ching; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun |
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