| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:24Z |
用於快閃式記憶元件及電路性能與可靠性模擬的元件模式
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:12Z |
混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:01Z |
高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計-元件至電路的考量 (II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:46:04Z |
奈米CMOS元件不均勻、雜和氧化層缺陷導致臨限電壓變異之研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:45:16Z |
下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:43:18Z |
先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:09Z |
下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:33Z |
先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:40:23Z |
次微米MOS元件在非熱平衡下含氧化層傷害之熱電子閘極電流模式
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:39Z |
EPROM記憶元件中熱電子效應的可靠性研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:34Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:32Z |
高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:22Z |
次微米MOS元件中反向短通道效應特性分析與模式
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:09Z |
具有反向短通道效應N型MOS元件性能及可靠性的研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:03Z |
快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:02Z |
P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:00Z |
薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:37Z |
先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:04Z |
利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:13Z |
不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:54Z |
超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:26Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:13Z |
先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:04Z |
高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:43Z |
採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:32Z |
高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:15Z |
張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:11Z |
採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:03Z |
高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計---元件至電路的考量(I)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:57Z |
採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:56Z |
張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(II)
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:48Z |
高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:10Z |
混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:38Z |
高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
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莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:43Z |
雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與導通機制探討
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莊嘉暉; Chuang, Chia-Hui; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:42Z |
三維金氧半電晶體基本邏輯閘電路的變異性模型
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洪健珉; Hung,Chien-Ming; 莊紹勳; Chung,Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:52Z |
二氧化鉿高介電層之N通道金氧半電晶體氧化層缺陷研究
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伍邦齊; Wu, Pang-Chi; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:45Z |
二氧化鉿電阻式記憶體之探討與隨機電報雜訊分析
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陳敬翰; Chen, Ching-Han; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:44Z |
閘極漏電流的變異對三維金氧半電晶體的影響
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林尚墩; Lin, Shang Tun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:39Z |
U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之耐久性及資料保存探討
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王漢樽; Wang, Han-Tsun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:13Z |
CMOS製程相容U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討
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蔡政達; Tsai, Cheng-Ta; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:06Z |
使用新的量測方法探討三面閘極金氧半電晶體 氧化層隨機陷阱造成之擾動效應
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蔡漢旻; Tsai, Hanmin; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:27Z |
決定高效能蕭特基金氧半場效應電晶體傳輸參數的新實驗方法
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鄭士嵩; Cheng, Xhiz-Song; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:18Z |
應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究
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程政穎; Cheng, Cheng-Ying; 莊紹勳; Chung, Steve-S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:11Z |
二氧化鉿薄膜電阻式隨機存取記憶體之轉換機制及可靠度探討
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王振鵬; Wang, Jen-Peng; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:07Z |
隨機電報訊號量測於高閘極介電層N通道金氧半電晶體汲極電流波動之探討
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張健宏; Chang, Chien-Hung; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:03Z |
奈米級蕭特基金氧半場效電晶體之載子傳輸特性與通道背向散射研究
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鄧安舜; Teng, An-Shun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:01Z |
隨機電報訊號量測法應用於前瞻CMOS元件應變技術引致的汲極電流不穩定性之研究
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林米華; Lin, Mi-Hua; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:21Z |
New Observation of an Abnormal Leakage Current in Advanced CMOS Devices with Short Channel Lengths Down to 50nm and Beyond
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Hsieh, E. R.; Chung, Steve S.; Lin, Y. H.; Tsai, C. H.; Liu, P. W.; Tsai, C. T.; Ma, G. H.; Chien, S. C.; Sun, S. W. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:47:46Z |
The investigation of charge loss mechanism in a two-bit wrapped-gate nitride storage nonvolatile memory
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Ho, Y. H.; Chung, Steve S.; Chen, H. H. |
