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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2015-12-02T02:59:13Z Impact of the TiN barrier layer on the positive bias temperature instabilities of high-k/metal-gate field effect transistors Huang, Da-Cheng; Gong, Jeng; Huang, Chih-Fang; Chung, Steve S.
國立交通大學 2015-11-26T01:07:58Z 運用隨機電報訊號方法分析三閘極電晶體的多層級氧化層陷阱 蔡侑璉; Tsai, You-Lian; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2015-11-26T01:06:42Z 二氧化鉿電阻式記憶體多位元操作之隨機電報雜訊分析 黃英傑; Huang, Ying-Jie; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2015-07-21T08:31:06Z Gate Current Variation: A New Theory and Practice on Investigating the Off-State Leakage of Trigate MOSFETs and the Power Dissipation of SRAM Hsieh, E. R.; Lin, S. T.; Chung, Steve S.; Huang, R. M.; Tsai, C. T.; Jung, L. T.
國立交通大學 2014-12-16T06:15:13Z Structure and process of basic complementary logic gate made by junctionless transistors Chung Steve S.; Hsieh E. R.
國立交通大學 2014-12-13T10:51:52Z 張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(III) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:51:36Z 高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:51:21Z 混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:49:40Z 下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:49:26Z 利用氘化及氮化處理製備高可靠性薄閘氧化層深次微米NMOS元件 莊紹勳; Chung Steve S

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