|
English
|
正體中文
|
简体中文
|
總筆數 :0
|
|
造訪人次 :
51492330
線上人數 :
701
教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
|
|
|
"chung steve s"的相關文件
顯示項目 91-100 / 136 (共14頁)
<< < 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:56Z |
張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(II)
|
莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:48Z |
高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
|
莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:10Z |
混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究
|
莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:38Z |
高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
|
莊紹勳; Chung Steve S |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:43Z |
雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與導通機制探討
|
莊嘉暉; Chuang, Chia-Hui; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:42Z |
三維金氧半電晶體基本邏輯閘電路的變異性模型
|
洪健珉; Hung,Chien-Ming; 莊紹勳; Chung,Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:52Z |
二氧化鉿高介電層之N通道金氧半電晶體氧化層缺陷研究
|
伍邦齊; Wu, Pang-Chi; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:45Z |
二氧化鉿電阻式記憶體之探討與隨機電報雜訊分析
|
陳敬翰; Chen, Ching-Han; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:44Z |
閘極漏電流的變異對三維金氧半電晶體的影響
|
林尚墩; Lin, Shang Tun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:39Z |
U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之耐久性及資料保存探討
|
王漢樽; Wang, Han-Tsun; 莊紹勳; Chung, Steve S. |
顯示項目 91-100 / 136 (共14頁)
<< < 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
|
