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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-13T10:39:34Z	先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:32Z	高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:22Z	次微米MOS元件中反向短通道效應特性分析與模式	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:09Z	具有反向短通道效應N型MOS元件性能及可靠性的研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:39:03Z	快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:37:02Z	P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:37:00Z	薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:36:37Z	先進奈米應力結構CMOS元件性能與可靠性變異之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:36:04Z	利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:35:13Z	不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:34:54Z	超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:34:26Z	先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:34:13Z	先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:33:04Z	高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:31:43Z	採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:31:32Z	高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(II)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:31:15Z	張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:31:11Z	採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(II)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:31:03Z	高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計---元件至電路的考量(I)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:29:57Z	採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:29:56Z	張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(II)	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:29:48Z	高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:29:10Z	混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-13T10:28:38Z	高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究	莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學	2014-12-12T02:44:43Z	雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與導通機制探討	莊嘉暉; Chuang, Chia-Hui; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T02:44:42Z	三維金氧半電晶體基本邏輯閘電路的變異性模型	洪健珉; Hung,Chien-Ming; 莊紹勳; Chung,Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T02:36:52Z	二氧化鉿高介電層之N通道金氧半電晶體氧化層缺陷研究	伍邦齊; Wu, Pang-Chi; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T02:36:45Z	二氧化鉿電阻式記憶體之探討與隨機電報雜訊分析	陳敬翰; Chen, Ching-Han; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T02:36:44Z	閘極漏電流的變異對三維金氧半電晶體的影響	林尚墩; Lin, Shang Tun; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T02:36:39Z	U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之耐久性及資料保存探討	王漢樽; Wang, Han-Tsun; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T01:55:13Z	CMOS製程相容U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討	蔡政達; Tsai, Cheng-Ta; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T01:55:06Z	使用新的量測方法探討三面閘極金氧半電晶體氧化層隨機陷阱造成之擾動效應	蔡漢旻; Tsai, Hanmin; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T01:37:27Z	決定高效能蕭特基金氧半場效應電晶體傳輸參數的新實驗方法	鄭士嵩; Cheng, Xhiz-Song; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T01:37:18Z	應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究	程政穎; Cheng, Cheng-Ying; 莊紹勳; Chung, Steve-S.
國立交通大學	2014-12-12T01:27:11Z	二氧化鉿薄膜電阻式隨機存取記憶體之轉換機制及可靠度探討	王振鵬; Wang, Jen-Peng; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T01:27:07Z	隨機電報訊號量測於高閘極介電層N通道金氧半電晶體汲極電流波動之探討	張健宏; Chang, Chien-Hung; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T01:27:03Z	奈米級蕭特基金氧半場效電晶體之載子傳輸特性與通道背向散射研究	鄧安舜; Teng, An-Shun; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-12T01:27:01Z	隨機電報訊號量測法應用於前瞻CMOS元件應變技術引致的汲極電流不穩定性之研究	林米華; Lin, Mi-Hua; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-08T15:48:21Z	New Observation of an Abnormal Leakage Current in Advanced CMOS Devices with Short Channel Lengths Down to 50nm and Beyond	Hsieh, E. R.; Chung, Steve S.; Lin, Y. H.; Tsai, C. H.; Liu, P. W.; Tsai, C. T.; Ma, G. H.; Chien, S. C.; Sun, S. W.
國立交通大學	2014-12-08T15:47:46Z	The investigation of charge loss mechanism in a two-bit wrapped-gate nitride storage nonvolatile memory	Ho, Y. H.; Chung, Steve S.; Chen, H. H.
國立交通大學	2014-12-08T15:45:54Z	The Observation of Trapping and Detrapping Effects in High-k Gate Dielectric MOSFETs by a New Gate Current Random Telegraph Noise (I(G)-RTN) Approach	Chang, C. M.; Chung, Steve S.; Hsieh, Y. S.; Cheng, L. W.; Tsai, C. T.; Ma, G. H.; Chien, S. C.; Sun, S. W.
國立交通大學	2014-12-08T15:45:53Z	More Strain and Less Stress- The Guideline for Developing High-End Strained CMOS Technologies with Acceptable Reliability	Chung, Steve S.; Hsieh, E. R.; Huang, D. C.; Lai, C. S.; Tsai, C. H.; Liu, P. W.; Lin, Y. H.; Tsai, C. T.; Ma, G. H.; Chien, S. C.; Sun, S. W.
國立交通大學	2014-12-08T15:39:25Z	The Understanding of Strain-Induced Device Degradation in Advanced MOSFETs with Process-Induced Strain Technology of 65nm Node and Beyond	Lin, M. H.; Hsieh, E. R.; Chung, Steve S.; Tsai, C. H.; Liu, P. W.; Lin, Y. H.; Tsai, C. T.; Ma, G. H.
國立交通大學	2014-12-08T15:36:22Z	The understanding of the drain-current fluctuation in a silicon-carbon source-drain strained n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors	Hsieh, E. R.; Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-08T15:33:48Z	The Variability Issues in Small Scale Trigate CMOS Devices: Random Dopant and Trap Induced Fluctuations	Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-08T15:33:16Z	Experimental Observation on the Random Dopant Fluctuation of Small Scale Trigate CMOS Devices	Chung, Steve S.
國立交通大學	2014-12-08T15:32:43Z	The Understanding of the Bulk Trigate MOSFET's Reliability Through the Manipulation of RTN Traps	Hsieh, E. R.; Wu, P. C.; Chung, Steve S.; Tsai, C. H.; Huang, R. M.; Tsai, C. T.
國立交通大學	2014-12-08T15:32:12Z	The Physical Insights Into an Abnormal Erratic Behavior in the Resistance Random Access Memory	Huang, Y. J.; Chung, Steve S.; Lee, H. Y.; Chen, Y. S.; Chen, F. T.; Gu, P. Y.; Tsai, M. -J.
國立交通大學	2014-12-08T15:30:46Z	The Understanding of Multi-level RTN in Trigate MOSFETs Through the 2D Profiling of Traps and Its Impact on SRAM Performance: A New Failure Mechanism Found	Hsieh, E. R.; Tsai, Y. L.; Chung, Steve S.; Tsai, C. H.; Huang, R. M.; Tsai, C. T.
國立交通大學	2014-12-08T15:29:05Z	Low Voltage and High Speed SONOS Flash Memory Technology: The Strategies and the Reliabilities	Chung, Steve S.

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