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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:34:54Z 超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:34:26Z 先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:34:13Z 先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:33:04Z 高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:43Z 採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:32Z 高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:15Z 張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:11Z 採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:03Z 高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計---元件至電路的考量(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:29:57Z 採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III) 莊紹勳; Chung Steve S

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