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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:02Z EFFECT OF GE CONCENTRATION ON STATIC AND MICROWAVE PERFORMANCES IN GEXSI1-X HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS UNDER HIGH-LEVEL INJECTION CHYAN, YF; SZE, SM; CHANG, CY; REIF, R
國立交通大學 2014-12-08T15:04:01Z EFFECT OF INTERFACIAL OXIDE ON STATIC AND HIGH-FREQUENCY PERFORMANCE IN POLYEMITTER BIPOLAR-TRANSISTORS UNDER HIGH-LEVEL INJECTION CHYAN, YF; SZE, SM; CHANG, CY; REIF, R
國立交通大學 2014-12-08T15:04:01Z TEMPERATURE INFLUENCE ON THE GENERALIZED EINSTEIN RELATION FOR DEGENERATE SEMICONDUCTORS WITH ARBITRARY BAND STRUCTURES CHYAN, YF; SZE, SM; CHANG, CY; LIAO, K; REIF, R
國立交通大學 2014-12-08T15:03:51Z ANALYTICAL MODELING OF POLYCRYSTALLINE SILICON EMITTER BIPOLAR-TRANSISTORS UNDER HIGH-LEVEL INJECTION CHYAN, YF; CHANG, CY; SZE, SM; LIN, MJ; LIAO, K; REIF, R
國立交通大學 2014-12-08T15:03:51Z HIGH-LEVEL INJECTION INFLUENCE ON THE HIGH-FREQUENCY PERFORMANCE OF POLYCRYSTALLINE SILICON EMITTER BIPOLAR-TRANSISTORS CHYAN, YF; SZE, SM; CHANG, CY; CHIUEH, HM; REIF, R

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