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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2013-12	Turn-on Transient Behavior of PD SOI NMOS Device Considering the Back-Gate Bias Effect	D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2013-12	Turn-on Transient Behavior of PD SOI NMOS Device Considering the Back-Gate Bias Effect	D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO

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