臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T05:26:30Z	Photoluminescence characterization of midinfrared InNxAs1–x/In0.53Ga0.47As/InP multiquantum wells with various N contents	H. D. Sun,; A. H. Clark,; S. Calvez,; M. D. Dawson,; D. K. Shih,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T05:26:30Z	Photoluminescence characterization of mid-infrared InNxAs1-x/In0.53Ga0.47As/InP multi-quantum wells with various N contents	H. D. Sun,; A. H. Clark,; S. Calvez,; M. D. Dawson,; D. K. Shih,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T04:58:47Z	Probing the electronic structures of III-V-nitride semiconductors by x-ray photoelectron spectroscopy	T. S. Lay,; W. T. Kuo,; L. P. Chen,; Y. H. Lai,; H. Hung,; J. S. Wang,; J. Y. Chi,; D. K. Shih,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T04:58:46Z	Large effective mass enhancement of the InAs1-xNx alloys in the dilute limit probed by Subnikov de-Haas oscillation	D. R. Hang,; D. K. Shih,; C. F. Huang,; W. K. Hung,; Y. H. Chang,; Y. F. Chen,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN; YANG-FANG CHEN
臺大學術典藏	2018-09-10T04:35:08Z	InAsN/InGaAs/InP quantum well structures for mid-infrared diode lasers	H.-H. Lin,; D.-K. Shih,; Y.-H. Lin,; K.-H. Chiang,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T04:35:06Z	Band Gap Reduction in InAsN Alloys	D. K. Shih; H. H. Lin; L. W. Sung; T. Y. Chu; T. R. Yang; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T04:35:06Z	Optical properties of InAs1-xNx/In0.53Ga0.47As single quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy	D. K. Shih,; HAO-HSIUNG LIN; H. H. Lin,; J. S. Wang,; G. R. Chen,
臺大學術典藏	2018-09-10T04:14:57Z	Raman scattering characterization of InAsN bulk film on (100) InP substrates	D. K. Shih,; H. H. Lin,; Y. F. Chen,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:04Z	On the InAs(N)/InGaAs quantum wells	T. Y. Chu,; D. K. Shih,; H. H. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:04Z	InAsN Grown by Plasma-assisted Gas Source MBE	HAO-HSIUNG LIN; T. R. Yang,; T. Y. Chu,; H. H. Lin,; D. K. Shih,
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:03Z	Stranied InAsN/InGaAs/InP Multiple Quantum Well structures for Mid-Infrared Lasers Grown by GSMBE	D. K. Shih,; H. H. Lin,; Y. H. Lin; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:02Z	Optical properties of as-grown and annealed of InAs(N)/ InGaAsP multiple quantum wells	G. R. Chen,; H. H. Lin,; J. S. Wang,; D. K. Shih,; HAO-HSIUNG LIN
國立中山大學	2004	Probing the Electronic Structures of III-V-Nitride Semiconductors by X-ray Photoelectron Spectroscopy	T.S. Lay;W.T. Kuo;L.P. Chen;Y.H. Lai;W.H. Hung;J.S. Wang;J.Y. Chi;D.K. Shih;H.H. Lin
國立東華大學	2003-09	Probing the electronic structure of III-V-Nitride semiconductors by X-ray photoelectron spectroscopy	祁錦雲; Jim-Yong Chi; T. S. Lay; W. T. Kuo; L. P. Chen; Y. H. Lai; W. H. Hung; J. S. Wang; J. Y. Chi; D. K. Shih; H. H. Lin; C. M. Chuang; K. H. Chen
臺大學術典藏	2002-01	Structural properties and Raman modes of InAsN bulk films on (100) InP substrates	HAO-HSIUNG LIN; Y. F. Chen,; H. H. Lin,; D. K. Shih,
國立中山大學	2002	Shubnikov-de Haas oscillations of two-dimensional electron gas in an InAsN/InGaAs single quantum well	D.R. Hang;C.F. Huang;W.K. Hung;Y.H. Chang;J.C. Chen;H.C. Yang;Y.F. Chen;D.K. Shih;T.Y. Chu;H.H. Lin

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