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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:21Z ANOMALOUS DOPING BEHAVIOR OF IN-SITU BORON-DOPED POLYCRYSTALLINE SILICON DEPOSITED BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION LIN, HC; LIN, HY; CHANG, CY; LEI, TF; WANG, PJ; DENG, RC; LIN, JD; CHAO, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:04:07Z DEPOSITION OF IN-SITU BORON-DOPED POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS AT REDUCED PRESSURES LIN, HC; LIN, HY; CHANG, CY; LEI, TF; WANG, PJ; DENG, RC; LIN, JD
國立交通大學 2014-12-08T15:03:50Z EFFECT OF BORON DOPING ON THE STRUCTURAL-PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS GROWN AT REDUCED PRESSURES LIN, HC; LIN, HY; CHANG, CY; JUNG, TG; WANG, PJ; DENG, RC; LIN, JD
國立交通大學 2014-12-08T15:03:01Z CHARACTERISTICS OF POLYCRYSTALLINE FILMS GROWN BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION SYSTEM LIN, HY; LEI, TF; LIN, HC; CHANG, CY; TWU, RC; DENG, RC; LIN, JD

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