臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

	English \| 正體中文 \| 简体中文 \| 總筆數 :2856753
	造訪人次 : 53851454 線上人數 : 1115 教育部委託研究計畫計畫執行:國立臺灣大學圖書館

搜尋範圍

進階搜尋

登入

管理

臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

關於TAIR
	計畫說明

瀏覽
	典藏機構
	作者
	題名
	日期
	統計圖表
	機構即時統計
	學術趨勢

消息
	2019臺灣學術機構典藏研討會
	機構典藏系統RC7版本已發佈

著作權
	出版社及期刊政策查詢
	TAIR著作權會議記錄

相關連結
	機構典藏計畫網站
	ROAR
	OpenDOAR
	SHERPA
	OAIster
	JAIRO
	Ira
	DSPACE
	RWWR
	臺大學術典藏NTU Scholars

"e y chang"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序	依日期排序

顯示項目 6-15 / 40 (共4頁)
1 2 3 4 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

機構	日期	題名	作者
元智大學	Jul-22	Growth of Ultrathin barrier InAlGaN/GaN Heterostructures with Superior Properties Using Sputtered AlN/sapphire Templates and Optimized Group-III Injection Rate by Metalorganic Chemical Vapor Phase Deposition	李清庭; X. X. Zheng; C. Wang; J. H. Huang; J. Y. Huang; D. Ueda; K. Pande; C. F. Dee; E. Y. Chang
元智大學	Jul-14	Performance Enhancement of Flip-Chip Packaged AlGaN/GaN HEMTs Using Active- Region Bumps Induced Piezoelectric Effect	Szu-Ping Tsai; H. T. Hsu; Che-Yang Chiang; Yung-Yi Tu; Chia-Hua Chang; Ting-En Hsieh; Huan-Chung Wang; Shih-Chien Liu; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Improved Off-State Leakage Current and Cutoff Frequency for AlGaN/GaN HEMT by Using Silicon-on-Insulator	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Improved Off-State Leakage Current and Cutoff Frequency for AlGaN/GaN HEMT by Using Silicon-on-Insulator	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學	Feb-23	Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications	李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學	Dec-22	Optimization of Forward and Reverse Electrical Characteristics of GaN-on-Si Schottky Barrier Diode Through Ladder-Shaped Hybrid Anode Engineering	李清庭; C. Y. Yang; J. H. Wu; C. H. Chung; J. Y. You; T. C. Yu; C. J. Ma; D. Ueda; H. T. Hsu; E. Y. Chang
元智大學	Dec-22	InGaZnO Ferroelectric Thin-Film Transistor Using HfO2/Al2O3/AlN Hybrid Gate Dielectric Stack with Ultra-Large Memory Window	李清庭; C. Wang; C. N. Kuo; Y. C. Lin; H. T. Hsu; Y. F. Tsao; E. Y. Chang
元智大學	Dec-21	Investigation of Multi-Mesa-Channel-Structured AlGaN/GaN MOSHEMTs with SiO2 Gate Oxide Layer	李清庭; J. J. Jian; H. Y. Lee; E. Y. Chang

顯示項目 6-15 / 40 (共4頁)
1 2 3 4 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目