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義守大學 2007 Analytical study of the dc characteristics on the InAlAs/InGaAs metamorphic HEMT with oxidized InGaAs gate K. W. Lee;J. S. Huang;F. M. Lee;Y. S. Huang;Y. H. Wang;S. C. Su;B. H. Chao;C. C. Chen
國立中山大學 2005-07 A New Equivalent Circuit Model of IGBT for Simulation of Current Sensors C.H. Kao; C.C. Tseng; F.M. Lee; Z.J. Shen

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