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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2017	A new quasi-3-D subthreshold current/swing model for fully-depleted quadruple-Gate (FDQG) MOSFETs	Gao, H.-W.;Wang, Y.-H.;Ko, Y.-W.;Chiang, T.-K.
國立成功大學	2017	A novel localized-trapped-charge-induced threshold voltage model for double-fin multi-channel FETs (DFMcFETs)	Gao, H.W.;Wang, Y.H.;Chiang, T.K.
國立成功大學	2017	A Quasi-3-D Scaling Length Model for Trapezoidal FinFET and Its Application to Subthreshold Behavior Analysis	Gao, H.-W.;Wang, Y.-H.;Chiang, T.-K.

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