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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:41:09Z Substrate bias dependence of breakdown progression in ultrathin oxide pMOSFETs Tsai, CW; Chen, MC; Gu, SH; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:26:57Z Valence-band tunneling enhanced hot carrier degradation in ultra-thin oxide nMOSFETs Tsai, CW; Gu, SH; Chiang, LP; Wang, TH; Liu, YC; Huang, LS; Wang, MC; Hsia, LC
國立交通大學 2014-12-08T15:26:38Z Soft breakdown enhanced hysteresis effects in ultra-thin oxide SOI nMOSFETs Chen, MC; Tsai, CW; Gu, SH; Wang, TH
國立交通大學 2014-12-08T15:25:47Z Investigation of programmed charge lateral spread in a two-bit storage nitride flash memory cell by using a charge pumping technique Gu, SH; Wang, MT; Chan, CT; Zous, NK; Yeh, CC; Tsai, WJ; Lu, TC; Wang, TH; Ku, J; Lu, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:17:37Z Characterization of programmed charge lateral distribution in a two-bit storage nitride flash memory cell by using a charge-pumping technique Gu, SH; Wang, TH; Lu, WP; Ting, WC; Ku, YHJ; Lu, CY

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