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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:24:55Z	65-nm 160-GHz f(T) RF n-MOSFET intrinsic noise extraction and modeling using lossy substrate de-embedding method	Guo, J. C.; Lin, Y. M.
國立交通大學	2014-12-08T15:24:42Z	Broadband and scalable on-silicon-chip inductor model for varying substrate resistivities	Guo, J. C.; Tan, T. Y.
國立交通大學	2014-12-08T15:09:51Z	A scalable lossy substrate model for nanoscale RF MOSFET noise extraction and simulation adapted to various pad structures	Guo, J. C.; Tsai, Y. H.

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