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机构	日期	题名	作者
南台科技大學	2008	A Sn-based metal substrate technology for the fabrication of vertical-structured GaN-based light-emitting diodes	管鴻; H.Y. Kuo; S.J. Wang; P.R. Wang; K.M. Uang; T.M. Chen; H. Kuan
南台科技大學	2008	Ultraviolet Electroluminescence From n-ZnO-SiO2-ZnO Nanacomposite/p-GaN Heterojunction Light-Emitting Diodes at Forward and Reverse Bias	管鴻; M.K. Wu; Y.T. Shin; W.C.Li; H.C. Chen; M.J. Chen; H. Kuan; J.R. Yang; M. Shiojiri
南台科技大學	2007	GaN-based Indium-tin-oxide light emitting diodes with nanostructured silicon upper contacts	管鴻; C.H. Kuo; S.J. Chang; H. Kuan
南台科技大學	2007	Design of a compact dual-band bandpass filter using trisection stepped impedance resonators	管鴻; S.H. Chang; M.H. Weng; H. Kuan
南台科技大學	2007	Effects of thermal annealing on In-induced metastable defects in InGaN films	管鴻; H. Hung; K.T. Lam; S.J. Chang; H. Kuan; C.H. Chen
南台科技大學	2007	AlGaN Ultraviolet Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors with Low-Temperature-Grown Cap Layers	管鴻; S. J. Chang; H. Hung; Y. C. Lin; M. H. Wu; H. Kuan; R. M. Lin
南台科技大學	2007	Reduction of Ohmic Constact Resistance on n-GaN by Surface Treatment Using Cl2 Inductively Coupled Plasma Following Laser Lift-Off	管鴻; S.H. Su; C.C. Hou; M.H. Lin; M. okoyama; S.M. Chen; H. Kuan
南台科技大學	2007	Kinetics of persistent photoconductivity in InGaN epitaxial films grown by MOCVD	管鴻; H. Hung; C. H. Chen; S. J. Chang; H. Kuan; R. M. Lin; C. H. Liu
南台科技大學	2005	Development of low dislocation density GaN for 380nm LEDs	管鴻; A.R. Boyd; E.J. Thrush; O.Feron; H. Kuan; C.Y. Liang; R.A. Oliver; R. Datta; M.J. Kappers; M.E. Vickers; J.S. Barnard; C.J. Humphreys
南台科技大學	2005	Kinetics of Persistent Photoconductivity in InGaN Epitaxial Films	管鴻; H. Hung; C. H. Chen; S. J. Chang; H. Kuan
南台科技大學	2005	Effects of Thermal Annealing on the In-induced Metastable Defects in InGaN Films	管鴻; H. Hung; H. Kuan; C. H. Chen; S. J. Chang; S. H. Hsu
南台科技大學	2005	Effect of Thermal Annealing on the In-induced Metastable Defects	管鴻; H. Hung; C. H. Chen; S. J. Chang; H. Kuan
南台科技大學	2005	In-induced metastable defect probed by persistent photoconductivity	管鴻; H. Hung; H. Kuan; C. H. Chen; S. J. Chang; S. H. Hsu
南台科技大學	2000-04	The study of GaInP/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors	管鴻; H. Kuan; 管鴻; C.W. Kuo; 郭啟文; Y.K. Su; 蘇炎坤;S.C. Hsu; 許世昌
南台科技大學	1998-08	Selective Gate Recess Etching of GaInP/InGaAs/GaAs PHEMT Using BCl3+Ar Plasms	管鴻; C.W. Kuo; Y.K. Su; H. Kuan
南台科技大學	1998	The study of Fe-doped InAsP strained layer compound semiconductor grown by metalorganic chemical vapor deposition	管鴻; H. Kuan; S.C. Hsu; Y.K. Su
南台科技大學	1998	High-Frequency Equivalent Circuit Modelling of InP/InGaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor	管鴻; S.C. Hsu; H. Kuan; Y.K. Su
南台科技大學	1998	GaInP/InGaAs/GaInP Quantum Well HEMTs Processed with Reactive-Ion-Etching Gate-Recess Technology	管鴻; C.W. Kuo; L.Y. Yeh; S.L. Chen; Y.K. Su; H. Kuan
南台科技大學	1997	Growth of InAsP Compound Semiconductor by Metal Organic Chemical Vapor Deposition	管鴻; W.T. Hrong; H. Kuan
南台科技大學	1997	Characterization of Interband Transitions in AlGaAs/GaAs/GaInP Single Quantum Wells	管鴻; H. Kuan; S. T. Chen; Y.K. Su
南台科技大學	1995	Transition Characterizations in InxGa1-xAs/GaAs Single Quantum Well by Contactless Electroreflectance Spectroscopy	管鴻; Y.K. Su; D.F. Huang; T.S. Wu; H. Kuan
南台科技大學	1995	Temperature Dependence in InxGa1-xAs/GaAs Double Quantum Wells by Contactless Electroreflectance Spectroscopy	管鴻; T.S. Wu; Y.K. Su; H. Kuan
南台科技大學	1995	Observation of quantum confined Stark effect in InxGa1-xAs/GaAs single–quantum well by photoreflectance spectroscopy	管鴻; D.P.Wang; C.T.Chen; H.Kuan; S.C.Shei; Y.K.Su
南台科技大學	1995	Study on symmetry forbidden transitions in an InxGa1-xAs/GaAs single–quantum well by temperature dependence	管鴻; D.P.Wang; C.T.Chen; H.Kuan; S.C.Shei; Y.K.Su
國立中山大學	1995	Study on symmetry forbidden transitions in An InxGa1-xAs/GaAs single quantum well by temperature dependence	D.P. Wang;C.T. Chen;H. Kuan;S.C. Shei;Y.K. Su

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