臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立高雄第一科技大學	2006.06	Potential Volatile Organic Compound Exposure from Dry Process Photocopiers in Operation-Idle Model	D.J.Hsu;H.L.Huang;H.Y.Lin;T.S.Lin
國立中山大學	2006	Reply to Comments on “Spin splitting in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures”	Ikai Lo;J.K. Tsai;W.J. Yao;P.C. Ho;Li-Wei Tu;T.C. Chang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;K.Y. Hsieh;J.H. Huang;H.L. Huang;W.C. Tsai
國立中山大學	2006	Reply to Comments on “Spin splitting in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures”	I. Lo;J.K. Tsai;W.J. Yao;P.C. Ho;L.W. Tu;T.C. Chang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;K.Y. Hsieh;J.H. Huang;H.L. Huang;W.C. Tsai
國立高雄第一科技大學	2005.12	Potential Exposure to VOCs Caused by Dry Process Photocopiers: Results From a Chamber Study.	D.-J.Hsu;H.-L.Huang;C.-H.Chien;T.-S.Lin
國立中山大學	2005	On the Hardness and Microstructure of AlN Thin Films Prepared by Long-distance Reactive Magnetron Sputtering	F.Z. Lee; C.H. Chao; H.L. Huang; A.K. Chu
國立中山大學	2004	Indium-facilitated growth and characterization of N-polar GaN by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy	J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;Ikai Lo;L.W. Tu
國立中山大學	2004	Indium-Facilitated Growth and Characterization of N-polar GaN by RF Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy	J.H. Huang;K.Y. Hsieh;J.K. Tsai;H.L. Huang;C.H. Hsieh;Y.C. Lee;K.L. Chuang;I. Lo;L.W. Tu
元智大學	2003-08	Mechanistic analysis of solvent extraction of heavy metals in membrane contactors	莊瑞鑫; H. L. Huang
亞洲大學	2003	A Multi-Echelon Integrated JIT Inventory Model Using the Time Buffer and Emergency Borrowing Policies to Deal with Random Delivery Lead Times	Chiu, H. N. ; H. L. Huang
國立中山大學	2003	Influences of Bias Voltage on the Crystallographic Orientation of AlN Thin Films Prepared by Long-distance Magnetron Sputtering	A.K. Chu; C.H. Chao; F.Z. Lee; H.L. Huang

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