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Date
Title
Author
國立中山大學
2009-04
Autophagy is enhanced and floral development is impaired in AtHVA22d RNAi Arabidopsis
C.N. Chen;H.R. Chen;S.Y. Yeh;G. Vittore;T.H.D. Ho
亞洲大學
2007
Novel Broadcasting Algorithm of Recursive Networks
J.F. Fang;W.Y. Liang;H.R. Chen;Ka-Lok Ng
國立臺灣海洋大學
2007
Characteristics of mesa- and air-type In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic HEMTs with or without a buried gate
M K Hsu;H R Chen;S Y Chiu;W T Chen;W C Liu;J H Tasi;W S Lour
國立臺灣海洋大學
2007
Characterization of a self-built field-plate gate on InGaP/InGaAs heterojunction doped-channel field-effect transistors
H R Chen;M K Hsu;S Y Chiu;W T Chen;D F Guo;W S Lour
國立臺灣海洋大學
2007
Performance of Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As double-heterojunction HEMTs with an as deposited and a buried gate
H. R. Chen;M. K. Hsu;S. Y. Chiu;W. T. Chen;G. H. Chen;Y. C. Chang;C. C. Su;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學
2006-12
InGaP/InGaAs Pseudomorphic Heterodoped-Channel FETs With a Field Plate and a Reduced Gate Length by Splitting Gate Metal
H. R. Chen;M. K. Hsu;S. Y. Chiu;W. T. Chen;G. H. Chen;Y. C. Chang;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學
2006-07
Low optical power characterization of a base current-biased four-terminal dual-emitter heterojunction phototransistor
W.T. Chen;H.R. Chen;M.K. Hsu;S.Y. Chiu;G.H. Chen;Y.C. Chang;W.S. Lour
國立臺灣海洋大學
2006-01-25
Investigation of Hydrogen Sulfide Stress Corrosion Cracking of PH 13-8 Mo Stainless Steel
L.W. Tsay;M.Y. Chi;H.R. Chen;C. Chen
國立臺灣海洋大學
2006
Gate-metal formation-related kink effect and gate current on In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic high electron mobility transistor performance
M. K. Hsu;H. R. Chen;S. Y. Chiou;W. T. Chen;G. H. Chen;Y. C. Chang;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學
2005
Comprehension and modelling of heterojunction phototransistors operated in the Gummel-plot and common-emitter modes
H R Chen;W T Chen;M K Hsu;S W Tan;W S Lour
國立臺灣海洋大學
2005
Fringing effects of V-shape gate metal on GaAs/InGa/PInGaAs doped-channel field-effect transistors
H R Chen;W T Chen;M K Hsu;S W Tan;W S Lour
國立臺灣海洋大學
2005
The influence of base bias on the collector photocurrent for InGaP/GaAs heterojunction phototransistors
S. W. Tan;H. R. Chen;W. T. Chen;M. K. Hsu;A. H. Lin;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學
2004
Performance enhancement of double-emitter HPTs with different emitter-area ratios
S.W. Tan; H.R. Chen; A.H. Lin; W.T. Chen; W.S. Lour
國立臺灣海洋大學
2004
Experiments and Modeling of Double-Emitter HPTs with Different Emitter-Area Ratios for Functional Applications
S W Tan; H R Chen; A H Lin; W T Chen; W S Lour
國立高雄師範大學
1996
A new functional AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistors (HEHBT's)
Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;H. R. Chen;Shiou-Ying Cheng;Wei-Chou Wang;Po-Hung Lin;Jing-Yuh Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學
1996
Investigation of InGaP/GaAs multiple-differential-resistance (NDR) device prepared by MOCVD
Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Kong-Beng Thei;Chin-Chuan Cheng;Kun-Wei Lin;H. R. Chen,; 蔡榮輝
國立高雄師範大學
1996
Characteristics of InGaP/GaAs single-heterojunction bipolar transistor with zero potential spike by d-doped sheet
Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu;H. R. Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學
1996
High-performance InGaP/GaAs single-heterojunction bipolar transistor by d-doped sheet
Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu;H. R. Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學
1996
On the InGaP/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistor (HEBT) with multiple S-shaped negative-differential-resistance
Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Kong-Beng Thei;Kun-Wei Lin;Chin-Chuan Cheng;H. R. Chen; 蔡榮輝
輔英科技大學
1995-10
Clinical evaluation of different treatment methods for oral submucous fibrosis. A 10-year experience with 150 cases.
D. R. Lai; H. R. Chen; L. M. Lin; Y. L. Huang; C. C. Tsai; Der-Rong Lai
中國醫藥大學
1991-08
Antiplatelet Components in Glycyrrhiza uralensis FISCHER
邱泰惠(T.H.Chiu); (S.C.Kuo); (H.R.Chen); (T.S.Wu); (L.G.Lee); (C.M.Teng)
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