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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:29:06Z Effect of Thermal Treatments on HfO2/In0.7Ga0.3As Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor Characteristics Chang, Chia-Hua; Shie, Tin-En; Lin, Yueh-Chin; Kakushima, K.; Iwai, H.; Lu, Po-Ching; Lin, Ting-Chun; Huang, Guan Ning; Chang, Edward Yi
國立交通大學 2014-12-08T15:28:07Z Study of La2O3/HfO2 Gate Dielectric for n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor Lin, Yueh-Chin; Chang, Chia-Hua; Kakushima, Kuniyuki; Iwai, Hiroshi; Shie, Tin-En; Huang, Guan-Ning; Lu, Po-Ching; Lin, Ting-Chun; Chang, Edward Yi
國立交通大學 2014-12-08T15:22:04Z Effect of Postdeposition Annealing Temperatures on Electrical Characteristics of Molecular-Beam-Deposited HfO2 on n-InAs/InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors Trinh, Hai-Dang; Lin, Yueh-Chin; Wang, Huan-Chung; Chang, Chia-Hua; Kakushima, Kuniyuki; Iwai, Hiroshi; Kawanago, Takamasa; Lin, Yan-Gu; Chen, Chi-Ming; Wong, Yuen-Yee; Huang, Guan-Ning; Hudait, Mantu; Chang, Edward Yi

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