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| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T15:33:15Z |
Compact modeling and simulation of TSV with experimental verification
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Yan, J.-Y.; Jan, S.-R.; Huang, Y.-C.; Lan, H.-S.; Liu, C.W.; Huang, Y.-H.; Hung, B.; Chan, K.-T.; Huang, M.; Yang, M.-T.; Yan, J.-Y.; Jan, S.-R.; Huang, Y.-C.; Lan, H.-S.; Liu, C.W.; Huang, Y.-H.; Hung, B.; Chan, K.-T.; Huang, M.; Yang, M.-T.; CHEE-WEE LIU |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T15:33:15Z |
Compact modeling and simulation of TSV with experimental verification
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Yan, J.-Y.; Jan, S.-R.; Huang, Y.-C.; Lan, H.-S.; Liu, C.W.; Huang, Y.-H.; Hung, B.; Chan, K.-T.; Huang, M.; Yang, M.-T.; Yan, J.-Y.; Jan, S.-R.; Huang, Y.-C.; Lan, H.-S.; Liu, C.W.; Huang, Y.-H.; Hung, B.; Chan, K.-T.; Huang, M.; Yang, M.-T.; CHEE-WEE LIU |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T15:23:22Z |
Asymmetric keep-out zone of through-silicon via using 28-nm technology node
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Yan, J.-Y.;Jan, S.-R.;Huang, Y.-C.;Lan, H.-S.;Huang, Y.-H.;Hung, B.;Chan, K.-T.;Huang, M.;Yang, M.-T.;Liu, C.W.; Yan, J.-Y.; Jan, S.-R.; Huang, Y.-C.; Lan, H.-S.; Huang, Y.-H.; Hung, B.; Chan, K.-T.; Huang, M.; Yang, M.-T.; Liu, C.W.; CHEE-WEE LIU |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T15:23:22Z |
Asymmetric keep-out zone of through-silicon via using 28-nm technology node
|
Yan, J.-Y.;Jan, S.-R.;Huang, Y.-C.;Lan, H.-S.;Huang, Y.-H.;Hung, B.;Chan, K.-T.;Huang, M.;Yang, M.-T.;Liu, C.W.; Yan, J.-Y.; Jan, S.-R.; Huang, Y.-C.; Lan, H.-S.; Huang, Y.-H.; Hung, B.; Chan, K.-T.; Huang, M.; Yang, M.-T.; Liu, C.W.; CHEE-WEE LIU |
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