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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2019-10-05T00:08:42Z	Ge FinFET CMOS Inverters With Improved Channel Surface Roughness by Using In-Situ ALD Digital O-3 Treatment	Yeh, M. -S.; Luo, G. -L.; Hou, F. -J.; Sung, P. -J.; Wang, C. -J.; Su, C. -J.; Wu, C. -T.; Huang, Y. -C.; Hong, T. -C.; Chao, T. -S.; Chen, B. -Y.; Chen, K. -M.; Wu, Y. -C.; Izawa, M.; Miura, M.; Morimoto, M.; Ishimura, H.; Lee, Y. -J.; Wu, W. -F.; Yeh, W. -K.

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