臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Low-Voltage SOI CMOS DTMOS/MTCMOS Circuit Technique for Design Optimization of Low-power SOC Applications	W.C.H. Lin;J. B. Kuo; W.C.H. Lin; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Low-Voltage SOI CMOS DTMOS/MTCMOS Circuit Technique for Design Optimization of Low-power SOC Applications	W.C.H. Lin;J. B. Kuo; W.C.H. Lin; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Modeling the parasitic bipolar device in the 40nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect	C. H. Chen;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; C. H. Chen; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Modeling the parasitic bipolar device in the 40nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect	C. H. Chen;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; C. H. Chen; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Charge Pumping Behavior of STI-Isolated PD SOI NMOS Device Operating at Low Temp	C. F. Yen;J. B. Kuo; C. F. Yen; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:06Z	Charge Pumping Behavior of STI-Isolated PD SOI NMOS Device Operating at Low Temp	C. F. Yen;J. B. Kuo; C. F. Yen; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:05Z	Shallow trench isolation-related narrow channel effect on the kink behaviour of 40 nm PD SOI NMOS device	H. J. Hung;J. B. kuo;D. Chen;C. T. Tsai;C. S. Yeh; H. J. Hung; J. B. kuo; D. Chen; C. T. Tsai; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T08:18:05Z	Shallow trench isolation-related narrow channel effect on the kink behaviour of 40 nm PD SOI NMOS device	H. J. Hung;J. B. kuo;D. Chen;C. T. Tsai;C. S. Yeh; H. J. Hung; J. B. kuo; D. Chen; C. T. Tsai; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T07:41:38Z	Compact Modelign of Nanometer SOI CMOS Devices Considering Shallow Trench Isolation	J. B. Kuo; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T07:41:38Z	Compact Modelign of Nanometer SOI CMOS Devices Considering Shallow Trench Isolation	J. B. Kuo; J. B. Kuo; JAMES-B KUO

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