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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2002 Sensitivity and Hysteresis Properties of a-WO3, Ta2O5, and a-Si:H Gate Ion-sensitive Field-effect Transistors J.L. Chiang; J.C. Chou; Y.C. Chen
國立中山大學 2002 Characteristics of the Hydrogen Ion-Sensitive Field-Effect Transistors with Sol-Gel-Derived Lead Titanate Gate S.S. Jan; J.L. Chiang; Y.C. Chen; J.C. Chou; C.C. Cheng
國立中山大學 2002 Temperature Effect on AlN/SiO2 Gate pH-ISFET Devices J.L. Chiang; Y.C. Chen; J.C. Chou; C.C. Cheng
國立中山大學 2002 Preparation and Properties of Lead Titanate Gate Ion-Sensitive Field-Effect Transistors by the Sol-Gel Method S.S. Jan; Y.C. Chen; J.C. Chou; C.C. Cheng; C.T. Lu
國立中山大學 2002 Nonideal Factors of Ion-Sensitive Field-Effect Transistors with Lead Titanate Gate S.S. Jan; Y.C. Chen; J.C. Chou; C.C. Cheng; L.T. Lu
國立中山大學 2001-01 Photoelectric Characteristics of pH-ISFET Based on AlN/SiO2 Insulator Gate Y.C. Chen;J.L. Chiang;J.C. Chou;C.C. Cheng
國立中山大學 2001-01 Study on Separative Structure Extended Gate pH-Sensitive Field Effect Transistor Based on WO3 Thin Film J.L. Chiang;J.C. Chou;Y.C. Chen
國立中山大學 2001 Simulation and Experimental Study of the pH Sensing Property for AlN Thin Films J.L. Chiang; Y.C. Chen; J.C. Chou

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