| 南台科技大學 |
2007 |
Enhanced efficiency of GaN-based light-emitting diodes with periodic textured Ga-doped ZnO transparent contact layer
|
李明倫; J. K. Sheu; Y. S. Lu; M. L. Lee; Wei-Chih Lai; C. H. Kuo; Chun-Ju Tun |
| 南台科技大學 |
2007 |
GaN-based Ultraviolet p-i-n Photodiodes with Buried p-layer Structure Grown by MOVPE
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu |
| 南台科技大學 |
2006-08 |
Flip-chip p(GaN)-i(GaN)-n(AlGaN) narrow-band UV-A photo sensors
|
T. K. Ko; S. C. Shei; S. J. Chang; Y. K. Su; Y. Z. Chiou; Y. C. Lin; C. S. Chang; W. S. Chen; C. K. Wang; J. K. Sheu; W. C. Lai;林永春 |
| 南台科技大學 |
2006-08 |
Nitride-based flip-chip p-i-n photodiodes
|
T. K. Ko; S. J. Chang; Y. K. Su; Y. Z. Chiou; C. S. Chang; S. C. Shei; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. C. Lin; W. S. Chen; C. F. Shen;林永春 |
| 南台科技大學 |
2006-08 |
AlGaN/GaN Schottky-barrier UV-B bandpass photodetectors with ITO contacts and LT-GaN cap layers
|
T. K. Ko; S. J. Chang; J. K. Sheu; S. C. Shei; Y. Z. Chiou; M. L. Lee |
| 南台科技大學 |
2006-04 |
GaN-based p-i-n sensors with ITO contacts
|
S. J. Chang; T. K. Ko; Y. K. Su; Y. Z. Chiou; C. S. Chang; S. C. Shei; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. C. Lin; W. S. Chen;C. F. Shen;林永春 |
| 南台科技大學 |
2006 |
Improved performance of planar GaN-based p-i-n photodetectors with Mg-implanted isolation ring
|
李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2006 |
Planar Ultraviolet Photodetectors Formed by Si Implantation into p-GaN
|
李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Kao; C. J. Tun; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2006 |
Planar GaN p-i-n photodiodes with n+-conductive channel formed by Si implantation
|
李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Kao; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2006 |
InGaN light-emitting diodes with naturally formed truncated micropyramids on top surface
|
李明倫; J. K. Sheu; C. M. Tsai; M. L. Lee; S. C .Shei; W. C. Lai |
| 南台科技大學 |
2006 |
Effects of Thermal Annealing on Al-Doped ZnO Films Deposited on p-Type Gallium Nitride
|
李明倫; C. J. Tun; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. C. Hu; C. K. Hsieh; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2006 |
Ultraviolet band-pass Schottky barrier photodetectors formed by Al-doped ZnO contacts to n-GaN
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; S.W. Lin |
| 南台科技大學 |
2006 |
Schottky barrier heights of metal contacts to n-type gallium nitride with low-temperature-grown cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; S. W. Lin |
| 南台科技大學 |
2006 |
Improved Performance of Planar GaN-based p-i-n Photodetectors with Mg-implanted Isolation Ring
|
李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2006 |
Effects of thermal annealing on transparent gallium-doped zinc oxide films prepared by sputtering system
|
李明倫; K. H. Chang; K. W. Hsu; H. H. Chen; M. L. Lee; J. K. Sheu |
| 南台科技大學 |
2006 |
Ultraviolet band-pass GaN/AZO Schottky barrier photodetectors
|
李明倫; M. L. Lee; P. F. Chi; S. J. Tu; H. H. Chen; J. K. Sheu |
| 南台科技大學 |
2006 |
Inverted GaN P-I-N Photodiodes with a buried tunneling junction
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W.C.Lai; S.C.Shei; S.J.Chang |
| 南台科技大學 |
2005 |
Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metal-organic vapor-phase
|
李明倫; J. K. Sheu; S. S. Chen; M. L. Lee; W. C. Lai; W. H. Chang; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2005 |
Comparison of low-temperature GaN, SiO2, and SiNx as gate insulators on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
|
李明倫; C. J. Kao; M. C. Chen; C.J. Tun; G. C. Chi; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; F.Ren; S.J.Pearton |
| 南台科技大學 |
2005 |
Rectifying characteristics of WSi0.8--GaN Schottky barrier diodes with a GaN cap layer grown at low temperature
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; H. C. Tseng; W. C. Lai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2005 |
Aluminum gallium nitride ultraviolet p-i-n photodiodes with buried p-layer structure,Aluminum gallium nitride ultraviolet photodiodes with buried p-layer structure
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai |
| 南台科技大學 |
2005 |
AlGaN-GaN Schottky-barrier photodetectors with LT GaN cap layers
|
李明倫; T. K. Ko; S. J. Chang; Y. K. Su; M. L. Lee; C. S. Chang; Y. C. Lin; S. C. Shei; J. K. Sheu; W. S. Chen; C. F. Shen |
| 南台科技大學 |
2005 |
Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai |
| 南台科技大學 |
2005 |
Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metal-organic vapor-phase
|
李明倫; J. K. Sheu; S. S. Chen; M. L. Lee; W. C. Lai; W. H. Chang; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2005 |
GaN-based Ultraviolet p-i-n Photodiodes with Buried tunneling junction
|
李明倫; M. L. Lee; H. H. Chen; J. K. Sheu; W. C. Lai |
| 南台科技大學 |
2005 |
Enhanced Light Output of GaN-based LEDs With Ga-doped ZnO Transparent Contact Layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y.S Lu |
| 南台科技大學 |
2004-10 |
Planar GaN-based UV Photodetectors formed by Si Implantation
|
李明倫; M. C. Chen; J.K. Sheu; M. L. Lee; G.C. Chi; C.J. Gao; C.J. Tun |
| 南台科技大學 |
2004 |
Reduction of dark current in AlGaN/GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2004 |
Effect of GaN cap layer grown at a low temperature on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/GaN heterojunction field-effect transistors
|
李明倫; C. J. Kao; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; M. C. Chen; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2004 |
Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai |
| 南台科技大學 |
2004 |
Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer
|
李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2004 |
Characterization of GaN Schottky barrier photodiodes with a low-temperature growth GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2004 |
Monolithic InGaN/GaN light-emitting diodes with near white-light emission from crossed blue/green quantum well structure
|
李明倫; T. C. WEN; J. K. Sheu; W. C. Lai; J. M. Tsai; Y. P. Shu; C. H. Ko; L. W. Wu; M. L. Lee; P. T. Wang; C. S. Chang; S. J. Chang; Y. K. Su |
| 南台科技大學 |
2003 |
Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2003 |
Deep level defect in Si-implanted GaN n+-p junction
|
李明倫; J. K. Sheu;M. L. Lee; G. C. Chi;S. J. Chang |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors With Low-Temperature-GaN Cap Layers and ITO Metal Contacts
|
李明倫; S. J. Chang; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. K. Su; C. S. Chang; C. J. Kao; G. C. Chi; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2003 |
Visible–blind GaN p–i–n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure
|
李明倫; L. S. Yeh; M. L. Lee; J. K. Sheu; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su |
| 南台科技大學 |
2003 |
Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer
|
李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2003 |
Reduction of Dark Current in AlGaN/GaN Schottky Barrier Photodetectors With a Low-Temperature-Grown GaN Cap Layer
|
李明倫; G. C. Chi; J.K. Sheu; M. L. Lee; C.J. Kao; Y.K. Su; S.J. Chang; W.C. Lai |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. C. Chen; C. J. Tun; W. C. Lai; Y. K. Su; S.J. Chang; G. C. Chi |
| 國立成功大學 |
2003 |
High brightness InGaN/GaN LEDs with indium-tin-oxide as p-electrode
|
Chang, C. S.; �Sheu, �Jinn-Kong; Su, Y. K.; Lai, W. C.; Kuo, C. H.; Wang, C. K.; Lin, Y. C.; Hsu, Y. P.; Shei, S. C.; Lo, H. M.; J. C. Ke; J. K. Sheu |
| 南台科技大學 |
2002 |
Planar GaN n+-p photodetectors formed by Si implants into p-GaN
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; L. S. Yeh; C. J. Kao; C. J. Tun; M. J. Chen; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; C. T. Lee |
| 南台科技大學 |
2002 |
Characterization of Si implants in p-type GaN
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; C. J. Kao; L. S. Yeh; C. C. Lee; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2002 |
GaN p–n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; L. S. Yeh; M. S. Tsai; C. J. Kao; C. J. Tun; S. J. Chang; G. C. Chi |
| 國立中山大學 |
2002 |
Piezoelectric effect on Al0.35-δInδGa0.65N/GaN heterostructures
|
Ikai Lo;J.K. Tsai;Li-Wei Tu;K.Y. Hsieh;C.S. Liu;J.H. Huang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2002 |
Piezoelectric Effect on Al0.35-δInδGa0.0.65N/GaN Heterostructures
|
I. Lo;J.K. Tsai;L.W. Tu;K.Y. Hsieh;C.S. Liu;J.H. Huang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2001 |
Polymer PBT/n-GaN metal-insulator-semiconductor structures
|
L.W. Tu;P.H. Tsao;K.H. Lee;I. Lo;S.J. Bai;C.C. Wu;K.Y. Hsieh;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2001 |
Polymer PBT/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structure
|
L.W. Tu;P.H. Tsao;K.H. Lee;I. Lo;S.J. Bai;C.C. Wu;K.Y. Hsieh;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2000 |
High-Dielectric-Constant Ta2O5/GaN Metal-Oxide-Semiconductor Structure
|
L.W. Tu;W.C. Kuo;K.H. Lee;P.H. Tsao;C.M. Lai;A.K. Chu;J.K. Sheu |
