| 南台科技大學 |
2004 |
Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer
|
李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2004 |
Characterization of GaN Schottky barrier photodiodes with a low-temperature growth GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2004 |
Monolithic InGaN/GaN light-emitting diodes with near white-light emission from crossed blue/green quantum well structure
|
李明倫; T. C. WEN; J. K. Sheu; W. C. Lai; J. M. Tsai; Y. P. Shu; C. H. Ko; L. W. Wu; M. L. Lee; P. T. Wang; C. S. Chang; S. J. Chang; Y. K. Su |
| 南台科技大學 |
2003 |
Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2003 |
Deep level defect in Si-implanted GaN n+-p junction
|
李明倫; J. K. Sheu;M. L. Lee; G. C. Chi;S. J. Chang |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors With Low-Temperature-GaN Cap Layers and ITO Metal Contacts
|
李明倫; S. J. Chang; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. K. Su; C. S. Chang; C. J. Kao; G. C. Chi; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2003 |
Visible–blind GaN p–i–n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure
|
李明倫; L. S. Yeh; M. L. Lee; J. K. Sheu; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su |
| 南台科技大學 |
2003 |
Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer
|
李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2003 |
Reduction of Dark Current in AlGaN/GaN Schottky Barrier Photodetectors With a Low-Temperature-Grown GaN Cap Layer
|
李明倫; G. C. Chi; J.K. Sheu; M. L. Lee; C.J. Kao; Y.K. Su; S.J. Chang; W.C. Lai |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. C. Chen; C. J. Tun; W. C. Lai; Y. K. Su; S.J. Chang; G. C. Chi |
| 國立成功大學 |
2003 |
High brightness InGaN/GaN LEDs with indium-tin-oxide as p-electrode
|
Chang, C. S.; �Sheu, �Jinn-Kong; Su, Y. K.; Lai, W. C.; Kuo, C. H.; Wang, C. K.; Lin, Y. C.; Hsu, Y. P.; Shei, S. C.; Lo, H. M.; J. C. Ke; J. K. Sheu |
| 南台科技大學 |
2002 |
Planar GaN n+-p photodetectors formed by Si implants into p-GaN
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; L. S. Yeh; C. J. Kao; C. J. Tun; M. J. Chen; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; C. T. Lee |
| 南台科技大學 |
2002 |
Characterization of Si implants in p-type GaN
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; C. J. Kao; L. S. Yeh; C. C. Lee; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2002 |
GaN p–n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; L. S. Yeh; M. S. Tsai; C. J. Kao; C. J. Tun; S. J. Chang; G. C. Chi |
| 國立中山大學 |
2002 |
Piezoelectric effect on Al0.35-δInδGa0.65N/GaN heterostructures
|
Ikai Lo;J.K. Tsai;Li-Wei Tu;K.Y. Hsieh;C.S. Liu;J.H. Huang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2002 |
Piezoelectric Effect on Al0.35-δInδGa0.0.65N/GaN Heterostructures
|
I. Lo;J.K. Tsai;L.W. Tu;K.Y. Hsieh;C.S. Liu;J.H. Huang;S. Elhamri;W.C. Mitchel;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2001 |
Polymer PBT/n-GaN metal-insulator-semiconductor structures
|
L.W. Tu;P.H. Tsao;K.H. Lee;I. Lo;S.J. Bai;C.C. Wu;K.Y. Hsieh;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2001 |
Polymer PBT/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structure
|
L.W. Tu;P.H. Tsao;K.H. Lee;I. Lo;S.J. Bai;C.C. Wu;K.Y. Hsieh;J.K. Sheu |
| 國立中山大學 |
2000 |
High-Dielectric-Constant Ta2O5/GaN Metal-Oxide-Semiconductor Structure
|
L.W. Tu;W.C. Kuo;K.H. Lee;P.H. Tsao;C.M. Lai;A.K. Chu;J.K. Sheu |
