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机构 日期 题名 作者
國立東華大學 2005 Characteristics of Oxide-Implanted Photonic Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers 祁錦雲; Jim-Yong Chi; H. P. D. Yang; F. I. Lai;Y. H. Chang; H. C. Yu; C. P. Sung; H. C. Kuo; S. C. Wang; S. Y. Lin; J. Y. Chi
國立東華大學 2005 MBE growth of high quality vertically coupled InAs/GaAs quantum dots laser emitting around 1.3um 祁錦雲; Jim-Yong Chi; R. S. Hsiao; J. S. Wang; G. Lin; C. Y. Liang; H. Y. Liu; T.W.Chi; J. F. Chen;J. Y. Chi
國立中山大學 2005 Optical and deep-level spectroscopic study on In0.38GaAsNx/GaAs single-quantum-well structures of x ? 3% grown by molecular beam epitaxy T.S. Lay;E.Y. Lin;C.Y. Chang;K.M. Kong;L.P. Chen;T.Y. Chang;J.S. Wang;G. Lin;J.Y. Chi
國立東華大學 2004-11-08 Long wavelength VCSEL devices on GaAs substrates 祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. Y. Chi; Jyh-Shyang Wang; Jenn-Fang Chen; Tsin-Dong Lee
國立東華大學 2004 The influence of Quantum-dot Period on High Performance InAs/GaAs Quantum0-dot Infrared Photodetectors 祁錦雲; Jim-Yong Chi; S.T. Chou; M. C. Wu; S. Y. Lin; R.S. Hsiao; L.C. Wei; J.S. Wang; J. Y. Chi
國立東華大學 2004 The observatin of Photoluminescence Decay for MBE Grown 1.3 um InGaAsN/GaAs Quantum Well Structure 祁錦雲; Jim-Yong Chi; R.S. Hsiao;C.Y. Liang; S. Y. Lin; J.S. Wang; J.Y. Chi
國立中山大學 2004 High nitrogen content InGaAsN/GaAs single quantum well for 1.55 mm applications grown by molecular beam epitaxy J.S. Wang;A.R. Kovsh;R.S. Hsiao;L.P. Chen;J.F. Chen;T.S. Lay;J.Y. Chi
國立中山大學 2004 Probing the Electronic Structures of III-V-Nitride Semiconductors by X-ray Photoelectron Spectroscopy T.S. Lay;W.T. Kuo;L.P. Chen;Y.H. Lai;W.H. Hung;J.S. Wang;J.Y. Chi;D.K. Shih;H.H. Lin
國立東華大學 2003-12 1.3 μm InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates with all-semiconductor DBRs 祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. S. Wang; N. A. Maleev; A. R. Kovsh; R. S. Hsiao; C. M. Lai; L. Wei; J. F. Chen; J. A. Lott; N. N. Ledentsov; V. M. Ustinov; J. Y. Chi
國立東華大學 2003-12 Long-Wavelength Ridge-Waveguide InGaAsN/GaAs Single Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. S. Wang;A. R. Kovsh; R. S. Hsiao; G. Lin; D. A. Livshits; I. F. Chen; Y. T. Wu; L. P. Chen; J. F. Chen; J. Y. Chi

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