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机构	日期	题名	作者
國立高雄師範大學	2013-04	Hopping conduction distance dependent activation energy characteristics of Zn:SiO2 resistance random access memory devices	陳榮輝; Rong-Huei Chen;Kai-Huang Chen;Rui Zhang;Ting-Chang Chang;Tsung-Ming Tsai;Kuan-Chang Chang;Jen-Chung Lou;Tai-Fa Young; Chih-Cheng Shih;Cheng-Wei Tung;Yong-En Syu;Simon M. Sze

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