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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:20:53Z 氮離子佈值於砷化鎵之特性研究 黃郁媄; May-May Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:20:52Z InGaAs/GaAs 量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析 蔡秋韻; Chiu-Yun Tsai; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:17:37Z GaAs/AlAs/GaAs量子結構的導納頻譜分析 徐念慶; Hsu, Nian-Ching; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:17:37Z MBE成長低溫InGaAs/GaAs超晶格p-i-n結構之電性與缺陷量測分析 翁宏鎮; Wong, Honng-Zheng; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:15:26Z SnTe摻雜GaSb與低溫成長InGaAs/GaAs超晶格之電性研究與缺陷分析 劉鴻興; Liu, Hung-Sing; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:03:10Z 砷化銦/砷化銦鎵量子點中砷化銦厚度對缺陷的電子放射與捕捉影響之研究 林士傑; Shih-Chieh Lin; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:03:04Z 砷化銦量子點上覆蓋不同材料之電性研究 劉立偉; Li-Wei Liu; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T02:02:51Z 自聚式InAs量子點上覆蓋In0.14AlAs / In0.14GaAs複合層之研究 謝明芳; Ming-Fang Hsieh; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T01:16:46Z 氮離子佈植InAs量子點特性研究 黃正皓; jheng-hao Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立交通大學 2014-12-12T01:16:45Z 應力鬆弛引發之缺陷效應下的InAs/InGaAs量子躍遷機制 徐榕鎂; Rong-Mei Hsu; 陳振芳; Jenn-Fang Chen

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